Dom ProduktyWskazówka Tranzystory mocy

D882M NPN Tranzystor Emiter Switch Base Napięcie 6V Wysoka sprawność

Orzecznictwo
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Opinie klientów
Współpracujemy z Hua Xuan Yang głównie dzięki ich profesjonalizmowi, ich zdecydowanej reakcji na dostosowanie potrzebnych produktów, zaspokajaniu wszystkich naszych potrzeb, a przede wszystkim świadczeniu wysokiej jakości usług.

—— —— Jason z Kanady

Zgodnie z zaleceniem mojego przyjaciela wiemy o Hua Xuan Yang, starszym ekspercie w branży półprzewodników i podzespołów elektronicznych, co pozwoliło nam skrócić nasz cenny czas i nie ryzykować próbowania innych fabryk.

—— —— Виктор z Rosji

Im Online Czat teraz

D882M NPN Tranzystor Emiter Switch Base Napięcie 6V Wysoka sprawność

D882M NPN Tranzystor Emiter Switch Base Napięcie 6V Wysoka sprawność
D882M NPN Tranzystor Emiter Switch Base Napięcie 6V Wysoka sprawność

Duży Obraz :  D882M NPN Tranzystor Emiter Switch Base Napięcie 6V Wysoka sprawność

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: SHENZHEN, CHINY
Nazwa handlowa: Hua Xuan Yang
Orzecznictwo: RoHS、SGS
Numer modelu: D882M
Zapłata:
Minimalne zamówienie: 1000-2000 PCS
Cena: Negotiated
Szczegóły pakowania: Boxed
Czas dostawy: 12 tygodni
Zasady płatności: L / CT / T Western Union
Możliwość Supply: 18 000 000 SZT / dziennie

D882M NPN Tranzystor Emiter Switch Base Napięcie 6V Wysoka sprawność

Opis
Napięcie podstawy kolektora Napięcie podstawy kolektora: 40v Napięcie kolektor-emiter: 30V
Napięcie na podstawie emitera: 6V Tranzystor mocy mosfet: TO-252-2L Obudowa z tworzywa sztucznego
typu: typ triody półprzewodnikowej Użycie: Części elektroniczne
High Light:

tranzystory serii tip

,

tranzystor pnp dużej mocy

TO-252-2L Tranzystory z plastikową obudową D882M TRANZYSTOR (NPN)

CECHA


Rozpraszanie mocy

MAKSYMALNE OCENY (T a = 25 Š, chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol Parametr Wartość Jednostka
V CBO Napięcie kolektora-podstawy 40 V
V CEO Napięcie kolektora-emitera 30 V
V EBO Napięcie nadajnika-podstawy 6 V
I C Prąd kolektora - ciągły 3 ZA
P C Rozpraszanie mocy kolektora 1.25 W
T J Temperatura złącza 150
T stg Temperatura przechowywania -55-150




PARAMETRY ELEKTRYCZNE

T a = 25 Š, chyba że określono inaczej

Parametr Symbol Test kondycji Min Typ Max Jednostka
Napięcie przebicia podstawy kolektora V (BR) CBO I C = 100μA, I E = 0 40 V
Napięcie przebicia kolektor-emiter V (BR) CEO I C = 10mA, I B = 0 30 V
Napięcie przebicia emitera-podstawy V (BR) EBO I E = 100μA, I C = 0 6 V
Prąd odcięcia kolektora ICBO V CB = 40 V, I E = 0 1 µA
Prąd odcięcia kolektora ICEO V CE = 30 V, I B = 0 10 µA
Prąd odcięcia emitera IEBO V EB = 6 V, I C = 0 1 µA
Wzmocnienie prądu DC hFE V CE = 2 V, I C = 1 A 60 400
Napięcie nasycenia kolektor-emiter VCE (sat) I C = 2A, I B = 0,2 A 0,5 V
Napięcie nasycenia baza-emiter VBE (sat) I C = 2A, I B = 0,2 A 1.5 V

Częstotliwość przejścia

f T

V CE = 5V, I C = 0,1A

f = 10 MHz

90

MHz


KLASYFIKACJA h FE (2)

Ranga R O Y GR
Zasięg 60-120 100-200 160-320 200-400


Typowe charakterystyki



Wymiary konturu pakietu

Symbol Wymiary w milimetrach Wymiary w calach
Min. Max. Min. Max.
ZA 2.200 2,380 0,087 0,094
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
b 0,800 1,400 0,031 0,055
b 0,710 0,810 0,028 0,032
do 0,460 0,560 0,018 0,022
c1 0,460 0,560 0,018 0,022
re 6,500 6.700 0,256 0,264
D1 5.130 5.460 0,202 0,215
mi 6.000 6.200 0,236 0,244
mi 2.286 TYP. 0,090 TYP.
e1 4.327 4.727 0,170 0,186
M 1.778REF. 0,070REF.
N 0.762REF. 0.018REF.
L 9.800 10,400 0,386 0,409
L1 2.9REF. 0.114REF.
L2 1,400 1.700 0,055 0,067
V 4.830 REF. 0,190 REF.
ja 1.100 1,300 0,043 0,0 ± 1





Szczegóły kontaktu
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Osoba kontaktowa: David

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

Zostaw wiadomość

Oddzwonimy wkrótce!