|
Szczegóły Produktu:
|
| Nazwa produktu: | Tranzystor mocy Mosfet | typu: | tranzystor mosfet |
|---|---|---|---|
| ID produktu: | HXY4616 | VDS: | 40 V. |
| Funkcje: | Pakiet do montażu powierzchniowego | VGS: | ± 20v |
| High Light: | tranzystor mosfet n kanałowy,przełącznik wysokiego napięcia mosfet |
||
HXY4616 30 V MOSFET uzupełniający
Opis
HXY4616 wykorzystuje zaawansowaną technologię wykopów, aby zapewnić doskonałą RDS (ON) i niski poziom naładowania bramki. Ta komplementarna konfiguracja MOSFET kanału N i P jest idealna do zastosowań w przetwornicach o niskim napięciu wejściowym.
A. Wartość R θ JA jest mierzona przy urządzeniu zamontowanym na 1 cale A = 25 ° C. Wartość w dowolnej aplikacji zależy od konkretnego projektu płytki użytkownika. 2 płyty FR-4 z 2 uncjami. Miedź w atmosferze stojącej z T
B. Rozproszenie mocy P D oparte jest na T J (MAKS.) = 150 ° C, przy zastosowaniu rezystancji termicznej złącza do otoczenia ≤ 10s. Powtarzalność, szerokość impulsu ograniczona temperaturą złącza T J (MAX) = 150 ° C. Wartości znamionowe oparte są na niskiej częstotliwości i cyklach roboczych, aby utrzymać wartość początkową T J = 25 ° C.
D. R θ JA jest sumą impedancji termicznej od połączenia do ołowiu R θ JL i ołowiu do otoczenia.
E. Charakterystykę statyczną na rysunkach 1–6 uzyskuje się przy użyciu impulsów <300 µs, cykl roboczy maks. 0,5%.
F. Krzywe te oparte są na impedancji termicznej połączenia z otoczeniem, mierzonej za pomocą urządzenia zamontowanego na płycie FR-4 1 w 2 z 2 uncjami. Miedź, przyjmując maksymalną temperaturę złącza T J (MAX) = 150 ° C. Krzywa SOA zapewnia pomiar pojedynczego impulsu.
Osoba kontaktowa: David
