|
Szczegóły Produktu:
|
| Nazwa produktu: | Przełącznik zasilania Mosfet | Model: | AP8810TS |
|---|---|---|---|
| Pakiet: | TSSOP-8 | Cechowanie: | AP8810E XXX RRRR |
| VDSDrain-Source Voltage: | 20 V. | VGSGate-Sou rce Napięcie: | ± 12V |
| High Light: | n kanałowy tranzystor mosfet,tranzystor wysokiego napięcia |
||
Wielofunkcyjny przełącznik zasilania Mosfet / AP8810TS Wysokoprądowy przełącznik Mosfet
Opis ogólny :
Tranzystor polowy Mos stosuje się w wielu aplikacjach zasilających i ogólnych, zwłaszcza jako przełączniki. Warianty obejmują płaskie MOSFET, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFET i inne różne marki.
Główne cechy
VDS = 20 V, ID = 7 A.
RDS (WŁ.) <28 mΩ @ VGS = 2,5 V.
RDS (WŁ.) <26 mΩ @ VGS = 3,1 V.
RDS (ON) <22mΩ @ VGS = 4 V.
RDS (WŁ.) <20 mΩ @ VGS = 4,5 V.
Ocena ESD: 2000 V HBM
Podanie
Ochrona baterii
Przełącznik obciążenia Zarządzanie energią
Informacje na temat oznaczania paczek i zamawiania
| ID produktu | Pakiet | Cechowanie | Ilość (PCS) |
| AP8810TS | TSSOP-8 | AP8810E XXX RRRR | 5000 |
MAKSYMALNE OCENY ABSOLUTNE (TA = 25 ℃, o ile nie zaznaczono inaczej )
| Parametr | Symbol | Limit | Jednostka |
| Napięcie dren-źródło | VDS | 20 | V. |
| Napięcie bramkowe | VGS | ± 12 | V. |
Drain Current-Continuous @ Current-Pulsed (Uwaga 1) | ID | 7 | ZA |
| IDM | 25 | ZA | |
| Maksymalne rozproszenie mocy | PD | 1.5 | W. |
| Złącze robocze i zakres temperatur przechowywania | TJ, T STG | -55 do 150 | ℃ |
| Odporność termiczna, połączenie z otoczeniem (uwaga 2) | RθJA | 83 | ℃ / W |
| Parametr | Symbol | Limit | Jednostka |
| Napięcie dren-źródło | VDS | 20 | V. |
| Napięcie bramkowe | VGS | ± 12 | V. |
Drain Current-Continuous @ Current-Pulsed (Uwaga 1) | ID | 7 | ZA |
| IDM | 25 | ZA | |
| Maksymalne rozproszenie mocy | PD | 1.5 | W. |
| Złącze robocze i zakres temperatur przechowywania | TJ, T STG | -55 do 150 | ℃ |
| Odporność termiczna, połączenie z otoczeniem (uwaga 2) | RθJA | 83 | ℃ / W |
CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA (TA = 25 ℃, chyba że zaznaczono inaczej )
| Parametr | Symbol | Stan | Min | Typ | Max | Jednostka |
| Napięcie przebicia dren-źródło | BV DSS | V GS = 0 V ID = 250 μA | 20 | V. | ||
| Prąd zerowy napięcia prądu spustowego | IDSS | V DS = 20 V, V GS = 0 V. | 1 | μA | ||
Prąd upływu w korpusie | IGSS | V GS = ± 4,5 V, V DS = 0 V. | ± 200 | nA | ||
| V GS = ± 10 V, VDS = 0 V. | ± 10 | USA | ||||
| bramka napięcia progowego | V GS (th) | V DS = V GS, ID = 250 μA | 0,6 | 0,75 | 1.2 | V. |
Oporność na stan dren-źródło | RDS (WŁ.) | V GS = 4,5 V, ID = 6,5 A. | 14 | 20 | m Ω | |
| V GS = 4 V, ID = 6 A. | 16 | 22 | m Ω | |||
| V GS = 3,1 V, ID = 5,5 A. | 19 | 26 | m Ω | |||
| V GS = 2,5 V, ID = 5,5 A. | 24 | 28 | m Ω | |||
| Przekaźniki nadprzewodnikowe | gFS | V DS = 10 V, ID = 6,5 A. | 6.6 | S. | ||
| Pojemność wejściowa | Clss | 650 | PF | |||
| Pojemność wyjściowa | Coss | 360 | PF | |||
| Pojemność odwrotnego transferu | Crss | 154 | PF | |||
| Czas opóźnienia włączenia | td (on) | 11 | 22 | nS | ||
| Czas narastania | r t | 12 | 28 | nS | ||
| Czas opóźnienia wyłączenia | td (wył.) | 35 | 73 | nS | ||
| Wyłącz czas opadania | fa t | 33 | 65 | nS | ||
| Całkowita opłata za bramę | Qg | V DS = 10 V, ID = 7 A, V GS = 4,5 V. | 11 | 16 | nC | |
| Opłata za bramę | Qs | 2.5 | nC | |||
| Opłata za drenaż bramy | Qgd | 3.2 | nC | |||
| Napięcie przewodzenia diody (Uwaga 3) | V SD | V GS = 0 V, IS = 1,5 A. | 0,84 | 1.2 | V. |
| Parametr | Symbol | Stan | Min | Typ | Max | Jednostka |
| Napięcie przebicia dren-źródło | BV DSS | V GS = 0 V ID = 250 μA | 20 | V. | ||
| Prąd zerowy napięcia prądu spustowego | IDSS | V DS = 20 V, V GS = 0 V. | 1 | μA | ||
Prąd upływu w korpusie | IGSS | V GS = ± 4,5 V, V DS = 0 V. | ± 200 | nA | ||
| V GS = ± 10 V, VDS = 0 V. | ± 10 | USA | ||||
| bramka napięcia progowego | V GS (th) | V DS = V GS, ID = 250 μA | 0,6 | 0,75 | 1.2 | V. |
Oporność na stan dren-źródło | RDS (WŁ.) | V GS = 4,5 V, ID = 6,5 A. | 14 | 20 | m Ω | |
| V GS = 4 V, ID = 6 A. | 16 | 22 | m Ω | |||
| V GS = 3,1 V, ID = 5,5 A. | 19 | 26 | m Ω | |||
| V GS = 2,5 V, ID = 5,5 A. | 24 | 28 | m Ω | |||
| Przekaźniki nadprzewodnikowe | gFS | V DS = 10 V, ID = 6,5 A. | 6.6 | S. | ||
| Pojemność wejściowa | Clss | 650 | PF | |||
| Pojemność wyjściowa | Coss | 360 | PF | |||
| Pojemność odwrotnego transferu | Crss | 154 | PF | |||
| Czas opóźnienia włączenia | td (on) | 11 | 22 | nS | ||
| Czas narastania | r t | 12 | 28 | nS | ||
| Czas opóźnienia wyłączenia | td (wył.) | 35 | 73 | nS | ||
| Wyłącz czas opadania | fa t | 33 | 65 | nS | ||
| Całkowita opłata za bramę | Qg | V DS = 10 V, ID = 7 A, V GS = 4,5 V. | 11 | 16 | nC | |
| Opłata za bramę | Qs | 2.5 | nC | |||
| Opłata za drenaż bramy | Qgd | 3.2 | nC | |||
| Napięcie przewodzenia diody (Uwaga 3) | V SD | V GS = 0 V, IS = 1,5 A. | 0,84 | 1.2 | V. |
UWAGI:
1. Powtarzalność: szerokość impulsu ograniczona maksymalną temperaturą złącza.
2. Montaż powierzchniowy na płycie FR4, t ≤ 10 sek.
3. Test impulsu: szerokość impulsu ≤ 300 μs, cykl pracy ≤ 2%.
4. Gwarantowane przez projekt, niepodlegające testom produkcyjnym.
Uwaga
1, Żaden opisany lub zawarty w nim produkt APM Microelectronics nie ma specyfikacji, które mogłyby obsługiwać aplikacje wymagające wyjątkowo wysokiego poziomu niezawodności, takie jak systemy podtrzymywania życia, systemy sterowania samolotem lub inne aplikacje, których awarii można racjonalnie oczekiwać w wyniku poważne szkody fizyczne i / lub materialne. Przed użyciem jakichkolwiek produktów APM Microelectronics opisanych lub zawartych w tych aplikacjach skonsultuj się z najbliższym przedstawicielem APM Microelectronics.
2, APM Microelectronics nie ponosi odpowiedzialności za awarie sprzętu wynikające z używania produktów o wartościach przekraczających nawet chwilowo wartości znamionowe (takie jak maksymalne wartości znamionowe, zakresy warunków pracy lub inne parametry) wymienione w specyfikacjach produktów wszystkich produktów APM Microelectronics opisane lub zawarte w niniejszym dokumencie.
3, Specyfikacje wszystkich opisanych tutaj lub zawartych produktów APM Microelectronics w sposób niezależny określają wydajność, charakterystykę i funkcje opisanych produktów i nie stanowią gwarancji wydajności, właściwości i funkcji opisanych produktów w stanie zamontowanym produkty lub sprzęt klienta. Aby zweryfikować objawy i stany, których nie można ocenić w niezależnym urządzeniu, klient powinien zawsze oceniać i testować urządzenia zamontowane w produktach lub sprzęcie klienta.
4, APM Microelectronics Semiconductor CO., LTD. stara się dostarczać wysokiej jakości produkty o wysokiej niezawodności. Jednak niektóre produkty półprzewodnikowe zawodzą z pewnym prawdopodobieństwem. Jest możliwe, że te probabilistyczne awarie mogą prowadzić do wypadków lub zdarzeń, które mogą zagrozić życiu ludzi, które mogą spowodować powstanie dymu lub ognia, lub które mogą spowodować szkody w innych mieniach. Przy projektowaniu sprzętu stosuj środki bezpieczeństwa, aby tego rodzaju wypadki lub zdarzenia nie mogły się zdarzyć. Takie środki obejmują między innymi obwody ochronne i obwody zapobiegające błędom do bezpiecznego projektowania, projektowania redundantnego i projektowania strukturalnego.
5, W przypadku, gdy jakikolwiek lub wszystkie produkty APM Microelectronics (w tym dane techniczne, usługi) opisane lub zawarte w niniejszym dokumencie są kontrolowane zgodnie z obowiązującymi lokalnymi przepisami i regulacjami dotyczącymi kontroli eksportu, takich produktów nie wolno eksportować bez uzyskania pozwolenia eksportowego od władz dotyczy zgodnie z powyższym prawem.
6, Żadna część niniejszej publikacji nie może być powielana ani przesyłana w żadnej formie ani za pomocą jakichkolwiek środków, elektronicznych lub mechanicznych, w tym kserokopii i nagrywania, lub jakiegokolwiek systemu przechowywania lub wyszukiwania informacji, lub w inny sposób, bez uprzedniej pisemnej zgody APM Microelectronics Semiconductor CO ., SP. Z O.O.
7, informacje (w tym schematy i parametry obwodu) w niniejszym dokumencie mają jedynie charakter przykładowy; nie jest gwarantowane w przypadku produkcji seryjnej. APM Microelectronics uważa, że informacje w tym dokumencie są dokładne i wiarygodne, ale nie daje się żadnych gwarancji ani nie sugeruje ich użycia ani jakichkolwiek naruszeń praw własności intelektualnej lub innych praw osób trzecich.
8, Wszelkie informacje opisane lub zawarte w niniejszym dokumencie mogą ulec zmianie bez powiadomienia z powodu ulepszenia produktu / technologii itp. Projektując sprzęt, zapoznaj się z „Specyfikacją dostawy” produktu APM Microelectronics, którego zamierzasz używać.
Osoba kontaktowa: David
