Szczegóły Produktu:
|
Numer części: | AP1334GEU-HF | Czas realizacji: | w magazynie |
---|---|---|---|
Rosz: | tak | Stan: | Nowy |
Próba:: | Wsparcie | Rodzaj:: | Te same arkusze danych |
High Light: | Tranzystor mocy Mosfet 8A,tranzystor mocy Mosfet 0,35 W |
Komponent elektroniczny AP1334GEU-HF korzystna cena jak na oryginalny magazyn
Opis
Seria AP1334 pochodzi z innowacyjnej konstrukcji Advanced Power i technologii przetwarzania krzemu w celu osiągnięcia najniższej możliwej rezystancji włączenia i szybkiego przełączania.Zapewnia projektantowi niezwykle wydajne urządzenie do użytku w szerokim zakresie zastosowań energetycznych.
Absolutny Maksymalny Oceny @Tjot= 25odo.(o ile nie podano inaczej)
Symbol | Parametr | Ocena | Jednostki |
VDS | Napięcie źródła drenu | 20 | V |
VGS | Napięcie źródła bramki | +8 | V |
jare@TZA= 25 ℃ | Drain Current3, VGS @ 4,5V | 2.1 | ZA |
jare@TZA= 70 ℃ | Drain Current3, VGS @ 4,5V | 1.7 | ZA |
IDM | Impulsowy prąd spustowy1 | 8 | ZA |
P.re@TZA= 25 ℃ | Całkowite rozpraszanie mocy | 0.35 | W |
TSTG | Zakres temperatur przechowywania | -55 do 150 | ℃ |
Tjot | Roboczy zakres temperatur złącza | -55 do 150 | ℃ |
Dane termiczne
Symbol | Parametr | Wartość | Jednostka |
Rthj-a | Maksymalna odporność termiczna, otoczenie złącza3 | 360 | ℃ / W |
AP1334GEU-H
Charakterystyka elektryczna @ Tjot= 25oC (o ile nie określono inaczej)
Symbol | Parametr | Test kondycji | Min. | Typ. | Maks. | Jednostki |
BVDSS | Napięcie przebicia dren-źródło | VGS= 0 V, Ire= 250uA | 20 | - | - | V |
RDS (WŁ.) | Odporność na statyczny odpływ źródła2 | VGS= 4,5 V, I.re= 2A | - | - | 65 | mΩ |
VGS= 2,5 V, I.re= 1,5 A. | - | - | 75 | mΩ | ||
VGS= 1,8 V, I.re= 1A | - | - | 85 | mΩ | ||
VGS (th) | bramka napięcia progowego | VDS= VGS, JAre= 250uA | 0.3 | - | 1 | V |
gfs | Transconductance do przodu | VDS= 5 V, I.re= 2A | - | 12 | - | S |
IDSS | Prąd upływu źródła drenu | VDS= 16 V, V.GS= 0V | - | - | 10 | uA |
IGSS | Wyciek źródła bramy | VGS=+8V, VDS= 0V | - | - | +30 | uA |
Qsol | Całkowita opłata za bramkę |
jare= 2A VDS= 10 V V.GS= 4,5 V. |
- | 9 | 14.4 | nC |
Qgs | Opłata za źródło bramy | - | 1 | - | nC | |
Qgd | Gate-Drain („Miller”) Charge | - | 2.5 | - | nC | |
td (wł.) | Czas opóźnienia włączenia |
VDS= 10 V Ire= 1A R.sol= 3,3 Ω VGS= 5V |
- | 6 | - | ns |
tr | Czas wschodu | - | 7 | - | ns | |
td (wył.) | Czas opóźnienia wyłączenia | - | 18 | - | ns | |
tfa | Czas upadku | - | 3 | - | ns | |
Ciss | Pojemność wejściowa |
Vsol.S = 0V V.DS= 10 V. f = 1,0 MHz |
- | 570 | 912 | pF |
Coss | Pojemność wyjściowa | - | 70 | - | pF | |
Crss | Reverse Transfer Capacitance | - | 60 | - | pF | |
Rsol | Odporność na bramę | f = 1,0 MHz | - | 2.4 | 4.8 | Ω |
Dioda źródła-drenu
Symbol | Parametr | Test kondycji | Min. | Typ. | Maks. | Jednostki |
VSD | Napięcie do przodu2 | jaS= 1,2 A, VGS= 0V | - | - | 1.2 | V |
trr | Odwrotny czas odzyskiwania |
jaS= 2A, VGS= 0 V, dI / dt = 100A / µs |
- | 14 | - | ns |
Qrr | Reverse Recovery Charge | - | 7 | - | nC |
Uwagi:
1. szerokość impulsu ograniczona maks.temperatura złącza.
2. test pulsu
3. Powierzchnia zamontowana na płycie FR4, t ≦ 10 sek.
Nasze atuty:
Mamy profesjonalny zespół do obsługi, profesjonalny system zamówień ERP, system magazynowania WSM, wsparcie zakupów online, wsparcie wyceny BOM,
więcej wszystkie przedmioty mają dobrą cenę i wysoką jakość.
Osoba kontaktowa: David