Dom ProduktyWskazówka Tranzystory mocy

D965 NPN Transistor Circuit, NPN Power Transistor High Performance

Orzecznictwo
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Opinie klientów
Współpracujemy z Hua Xuan Yang głównie dzięki ich profesjonalizmowi, ich zdecydowanej reakcji na dostosowanie potrzebnych produktów, zaspokajaniu wszystkich naszych potrzeb, a przede wszystkim świadczeniu wysokiej jakości usług.

—— —— Jason z Kanady

Zgodnie z zaleceniem mojego przyjaciela wiemy o Hua Xuan Yang, starszym ekspercie w branży półprzewodników i podzespołów elektronicznych, co pozwoliło nam skrócić nasz cenny czas i nie ryzykować próbowania innych fabryk.

—— —— Виктор z Rosji

Im Online Czat teraz

D965 NPN Transistor Circuit, NPN Power Transistor High Performance

D965 NPN Transistor Circuit, NPN Power Transistor High Performance
D965 NPN Transistor Circuit, NPN Power Transistor High Performance

Duży Obraz :  D965 NPN Transistor Circuit, NPN Power Transistor High Performance

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: SHENZHEN, CHINY
Nazwa handlowa: Hua Xuan Yang
Orzecznictwo: RoHS、SGS
Numer modelu: D965
Zapłata:
Minimalne zamówienie: 1000-2000 PCS
Cena: Negotiated
Szczegóły pakowania: Boxed
Czas dostawy: 12 tygodni
Zasady płatności: L / CT / T Western Union
Możliwość Supply: 18 000 000 SZT / dziennie

D965 NPN Transistor Circuit, NPN Power Transistor High Performance

Opis
VCBO: 42 V. VCEO: 22 V.
VEBO: 6V Nazwa produktu: typ triody półprzewodnikowej
Rozpraszanie mocy kolektora: 750mW TJ: 150Š
High Light:

tranzystory serii tip

,

tranzystor pnp dużej mocy

Tranzystory w obudowie z tworzywa sztucznego TO-92 D965 TRANSISTOR (NPN)

CECHA

Ÿ Wzmacniacz audio

Ÿ Lampa błyskowa aparatu

Ÿ Obwód przełączający

CECHOWANIE

D965 = Kod urządzenia

Stała kropka = urządzenie z zieloną masą formierską,

jeśli nie, normalne urządzenie

Z = Ranga hFE, XXX = Kod

INFORMACJE O ZAMAWIANIU

Numer części Pakiet Metoda pakowania Ilość w opakowaniu
D965 TO-92 Objętość 1000 sztuk / worek
D965-TA TO-92 Taśma 2000 sztuk / pudełko


MAKSYMALNE OCENY (T a = 25 Š, chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol Para metrów Wartość Jednostka
V CBO Napięcie podstawowe kolektora 42 V.
V CEO Napięcie kolektor-emiter 22 V.
V EBO Napięcie na podstawie emitera 6 V.
I C. Prąd kolektora - ciągły 5 ZA
P D Rozpraszanie mocy kolektora 750 mW
R 0 JA Odporność termiczna od złącza do otoczenia 166,7 POŁUDNIOWY ZACHÓD
T j Temperatura złącza 150 Š
T stg Temperatura przechowywania -55 ~ + 150 Š


PARAMETRY ELEKTRYCZNE

T a = 25 Š, chyba że określono inaczej


Parametr Symbol Test kondycji MIN TYP MAX JEDNOSTKA
Napięcie przebicia podstawy kolektora V (BR) CBO I C = 0,1 mA, I E = 0 42 V.
Napięcie przebicia kolektor-emiter V (BR) CEO I C = 1mA, I B = 0 22 V.
Napięcie przebicia bazy emitera V (BR) EBO I E = 10µA, I C = 0 6 V.
Prąd odcięcia kolektora ICBO V CB = 30 V, I E = 0 0,1 µA
Prąd odcięcia emitera IEBO V EB = 6 V, I C = 0 0,1 µA

Wzmocnienie prądu stałego

hFE (1) V CE = 2 V, I C = 0,15 mA 150
hFE (2) V CE = 2 V, I C = 500 mA 340 2000
hFE (3) V CE = 2 V, I C = 2 A. 150
Napięcie nasycenia kolektor-emiter VCE (sat) I C = 3000mA, I B = 100 mA 0,35 V.
Częstotliwość przejścia f T. V CE = 6 V, I C = 50 mA, f = 30 MHz 150 MHz


KLASYFIKACJA h FE (2)

Ranga R T. V.
Zasięg 340–600 560–950 900–2000

Typowe charakterystyki


Wymiary konturu opakowania

Symbol Wymiary w milimetrach Wymiary w calach
Min Max Min Max
ZA 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1.100 1.400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
do 0,360 0,510 0,014 0,020
re 4.300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430 0,135
mi 4.300 4,700 0,169 0,185
mi 1.270 TYP 0,050 TYP
e1 2.440 2,640 0,096 0,104
L. 14,100 14.500 0,555 0,571
0 1.600 0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015



Szczegóły kontaktu
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Osoba kontaktowa: David

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

Zostaw wiadomość

Oddzwonimy wkrótce!