Dom ProduktyTranzystor mocy Mosfet

Tranzystor mosfet wysokiego napięcia OEM / Tranzystor mocy AP10H03DF Uhf

Orzecznictwo
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Opinie klientów
Współpracujemy z Hua Xuan Yang głównie dzięki ich profesjonalizmowi, ich zdecydowanej reakcji na dostosowanie potrzebnych produktów, zaspokajaniu wszystkich naszych potrzeb, a przede wszystkim świadczeniu wysokiej jakości usług.

—— —— Jason z Kanady

Zgodnie z zaleceniem mojego przyjaciela wiemy o Hua Xuan Yang, starszym ekspercie w branży półprzewodników i podzespołów elektronicznych, co pozwoliło nam skrócić nasz cenny czas i nie ryzykować próbowania innych fabryk.

—— —— Виктор z Rosji

Im Online Czat teraz

Tranzystor mosfet wysokiego napięcia OEM / Tranzystor mocy AP10H03DF Uhf

Tranzystor mosfet wysokiego napięcia OEM / Tranzystor mocy AP10H03DF Uhf
Tranzystor mosfet wysokiego napięcia OEM / Tranzystor mocy AP10H03DF Uhf Tranzystor mosfet wysokiego napięcia OEM / Tranzystor mocy AP10H03DF Uhf Tranzystor mosfet wysokiego napięcia OEM / Tranzystor mocy AP10H03DF Uhf

Duży Obraz :  Tranzystor mosfet wysokiego napięcia OEM / Tranzystor mocy AP10H03DF Uhf

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: SHENZHEN, CHINY
Nazwa handlowa: Hua Xuan Yang
Orzecznictwo: RoHS、SGS
Numer modelu: AP7H03DF
Zapłata:
Minimalne zamówienie: Negocjacji
Cena: Negotiated
Szczegóły pakowania: Boxed
Czas dostawy: 12 tygodni
Zasady płatności: L / CT / T Western Union
Możliwość Supply: 18 000 000 sztuk / dzień

Tranzystor mosfet wysokiego napięcia OEM / Tranzystor mocy AP10H03DF Uhf

Opis
Nazwa produktu: Tranzystor mosfetowy wysokiego napięcia Modelu: AP7H03DF
Pakiet: DFN3 * 3-8L Cechowanie: AP7H03DF XXX RRRR
VDSDrain-Source Voltage: 30V VGSGate-Sou rce Napięcie: ± 20A
High Light:

n kanałowy tranzystor mosfet

,

tranzystor wysokiego napięcia

Tranzystor mosfetowy wysokiego napięcia OEM / Tranzystor mocy AP10H03DF Uhf

Tranzystor Mosfet wysokiego napięcia Opis:

AP10H03DF jest wykopem o najwyższej wydajności
N-ch MOSFET o ekstremalnie wysokiej gęstości komórek,
które zapewniają doskonałe RDSON i ładowanie bramki
dla większości małych przełączeń zasilania i
aplikacje przełączania obciążenia. Spełniają RoHS i
Zatwierdzony wymóg produktu z pełną niezawodnością funkcji.

Funkcje tranzystora mosfetowego wysokiego napięcia

VDS = 30 V ID = 10 A.
RDS (ON) <12 mΩ @ VGS = 4,5 V.
RDS (ON) <16,5 mΩ @ VGS = 2,5 V.


Informacje na temat oznaczania paczek i zamawiania

ID produktu Pakiet Cechowanie Ilość (PCS)
AP10H03DF DFN3 * 3-8L AP10H03DF XXX RRRR 5000

Bezwzględne maksymalne oceny (TA = 25 ℃, o ile nie zaznaczono inaczej )

Symbol Parametr Ocena Jednostki
VDS Napięcie dren-źródło 30 V.
VGS Napięcie bramkowe ± 20 V.
ID @ TC = 25 ℃ Ciągły prąd drenu, V GS @ 10 V 1 10 ZA
ID @ TC = 100 ℃ Ciągły prąd drenu, V GS @ 10 V 1 8.2 ZA
ID @ TA = 25 ℃ Ciągły prąd drenu, VGS @ 10V1 9.5 ZA
ID @ TA = 70 ℃ Ciągły prąd drenu, V GS @ 10 V 1 7.6 ZA
IDM Impulsowy prąd spustowy 2 75 ZA
EAS Energia lawinowa pojedynczego impulsu 3 24,2 mJ
MSR Prąd lawinowy 22 ZA
PD @ TC = 25 ℃ Całkowite rozproszenie mocy 4 26 W.
PD @ TA = 25 ℃ Całkowite rozproszenie mocy 4 1,67 W.
TSTG Zakres temperatur przechowywania Od -55 do 150
TJ Zakres temperatur złącza roboczego Od -55 do 150
RθJA Odporność termiczna złącze-otoczenie 1 75 ℃ / W
RθJC Obudowa złącza termicznego 1 4.8 ℃ / W

Charakterystyka elektryczna (T J = 25, o ile nie zaznaczono inaczej )

Symbol Parametr Warunki Min. Typ. Max. Jednostka
BVDSS Napięcie przebicia dren-źródło VGS = 0 V, ID = 250uA 30 --- --- V.
△ BVDSS / TJ Współczynnik temperaturowy BVDSS Odniesienie do 25 ℃, ID = 1mA --- 0,023 --- V / ℃
RDS (WŁ.) Rezystancja statycznego źródła drenażu VGS = 10 V, ID = 15 A. --- --- 12

VGS = 4,5 V, ID = 10 A. --- --- 16.5
VGS (th) bramka napięcia progowego

VGS = VDS, ID = 250uA

1.0 --- 2.5 V.
△ VGS (th) VGS (th) Współczynnik temperaturowy --- -5,08 --- mV / ℃

IDSS

Prąd upływowy źródła drenażu

VDS = 24 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ --- --- 1

USA

VDS = 24 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ --- --- 5
IGSS Prąd upływowy w bramie VGS = ± 20 V, V DS = 0 V. --- --- ± 100 nA
gfs Przekaźniki nadprzewodnikowe VDS = 5 V, ID = 15 A. --- 24,4 --- S.
Rg Odporność na bramę VDS = 0 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz --- 1.8 --- Ω
Qg Całkowite ładowanie bramy (4,5 V) --- 9,82 ---
Qs Opłata za bramę --- 2.24 ---
Qgd Opłata za drenaż bramy --- 5.54 ---
Td (włączony) Czas opóźnienia włączenia --- 6.4 ---
Tr Czas narastania --- 39 ---
Td (wył.) Czas opóźnienia wyłączenia --- 21 ---
Tf Czas upadku --- 4.7 ---
Ciss Pojemność wejściowa --- 896 ---
Coss Pojemność wyjściowa --- 126 ---
Crss Pojemność odwrotnego transferu --- 108 ---
JEST Ciągłe źródło prądu 1,5

VG = VD = 0 V, siła prądu

--- --- 37 ZA
IZM Pulsujący prąd źródłowy2,5 --- --- 75 ZA
VSD Napięcie przewodzenia diody 2 VGS = 0 V, IS = 1 A, TJ = 25 ℃ --- --- 1 V.
Symbol Parametr Warunki Min. Typ. Max. Jednostka
BVDSS Napięcie przebicia dren-źródło VGS = 0 V, ID = 250uA 30 --- --- V.
△ BVDSS / TJ Współczynnik temperaturowy BVDSS Odniesienie do 25 ℃, ID = 1mA --- 0,023 --- V / ℃
RDS (WŁ.) Rezystancja statycznego źródła drenażu VGS = 10 V, ID = 15 A. --- --- 12

VGS = 4,5 V, ID = 10 A. --- --- 16.5
VGS (th) bramka napięcia progowego

VGS = VDS, ID = 250uA

1.0 --- 2.5 V.
△ VGS (th) VGS (th) Współczynnik temperaturowy --- -5,08 --- mV / ℃

IDSS

Prąd upływowy źródła drenażu

VDS = 24 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ --- --- 1

USA

VDS = 24 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ --- --- 5
IGSS Prąd upływowy w bramie VGS = ± 20 V, V DS = 0 V. --- --- ± 100 nA
gfs Przekaźniki nadprzewodnikowe VDS = 5 V, ID = 15 A. --- 24,4 --- S.
Rg Odporność na bramę VDS = 0 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz --- 1.8 --- Ω
Qg Całkowite ładowanie bramy (4,5 V) VDS = 15 V, VGS = 4,5 V, ID = 12 A. --- 9,82 ---
Qs Opłata za bramę --- 2.24 ---
Qgd Opłata za drenaż bramy --- 5.54 ---
Td (włączony) Czas opóźnienia włączenia VDD = 15 V, VGS = 10 V, RG = 1,5
ID = 20 A.
--- 6.4 ---
Tr Czas narastania --- 39 ---
Td (wył.) Czas opóźnienia wyłączenia --- 21 ---
Tf Czas upadku --- 4.7 ---
Ciss Pojemność wejściowa VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz --- 896 ---
Coss Pojemność wyjściowa --- 126 ---
Crss Pojemność odwrotnego transferu --- 108 ---
JEST Ciągłe źródło prądu 1,5

VG = VD = 0 V, siła prądu

--- --- 37 ZA
IZM Pulsujący prąd źródłowy2,5 --- --- 75 ZA
VSD Napięcie przewodzenia diody 2 VGS = 0 V, IS = 1 A, TJ = 25 ℃ --- --- 1 V.

Uwaga :

1. Dane testowane przez montaż powierzchniowy na 1 calowej płycie FR-4 z miedzią 2OZ.

2. Dane testowane pulsacyjnie, szerokość impulsu ≦ 300us, cykl pracy ≦ 2%

3. Dane EAS pokazują Max. ocena Warunkiem testu jest VDD = 25 V, VGS = 10 V, L = 0,1 mH, IAS = 22A

4. Rozpraszanie mocy jest ograniczone przez temperaturę złącza 175 ℃

5. Dane są teoretycznie takie same jak ID i IDM, w rzeczywistych aplikacjach powinny być ograniczone całkowitym rozproszeniem mocy.

Uwaga

1, Żaden opisany lub zawarty w nim produkt APM Microelectronics nie ma specyfikacji, które mogłyby obsługiwać aplikacje wymagające wyjątkowo wysokiego poziomu niezawodności, takie jak systemy podtrzymywania życia, systemy sterowania samolotem lub inne aplikacje, których awarii można racjonalnie oczekiwać w wyniku poważne szkody fizyczne i / lub materialne. Przed użyciem jakichkolwiek produktów APM Microelectronics opisanych lub zawartych w tych aplikacjach skonsultuj się z najbliższym przedstawicielem APM Microelectronics.

2, APM Microelectronics nie przyjmuje odpowiedzialności za awarie sprzętu wynikające z używania produktów o wartościach przekraczających nawet chwilowo wartości znamionowe (takie jak maksymalne wartości znamionowe, zakresy warunków pracy lub inne parametry) wymienione w specyfikacjach produktów wszystkich produktów APM Microelectronics opisane lub zawarte w niniejszym dokumencie.

3, Specyfikacje wszystkich opisanych tutaj lub zawartych produktów APM Microelectronics w sposób niezależny określają wydajność, charakterystykę i funkcje opisanych produktów i nie stanowią gwarancji wydajności, właściwości i funkcji opisanych produktów w stanie zamontowanym produkty lub sprzęt klienta. Aby zweryfikować objawy i stany, których nie można ocenić w niezależnym urządzeniu, klient powinien zawsze oceniać i testować urządzenia zamontowane w produktach lub sprzęcie klienta.

4, APM Microelectronics Semiconductor CO., LTD. stara się dostarczać wysokiej jakości produkty o wysokiej niezawodności. Jednak niektóre produkty półprzewodnikowe zawodzą z pewnym prawdopodobieństwem. Możliwe jest, że te probabilistyczne awarie mogą prowadzić do wypadków lub zdarzeń, które mogą zagrozić życiu ludzi, które mogą spowodować powstanie dymu lub ognia, lub które mogą spowodować szkody w innych mieniach. Przy projektowaniu sprzętu stosuj środki bezpieczeństwa, aby tego rodzaju wypadki lub zdarzenia nie mogły się zdarzyć. Takie środki obejmują między innymi obwody ochronne i obwody zapobiegające błędom do bezpiecznego projektowania, projektowania redundantnego i projektowania strukturalnego.

5, W przypadku, gdy jakikolwiek lub wszystkie produkty APM Microelectronics (w tym dane techniczne, usługi) opisane lub zawarte w niniejszym dokumencie są kontrolowane zgodnie z obowiązującymi lokalnymi przepisami i regulacjami dotyczącymi kontroli eksportu, takich produktów nie wolno eksportować bez uzyskania pozwolenia eksportowego od władz dotyczy zgodnie z powyższym prawem.

6, Żadna część niniejszej publikacji nie może być powielana ani przesyłana w żadnej formie ani za pomocą jakichkolwiek środków, elektronicznych lub mechanicznych, w tym kserokopii i nagrywania, lub jakiegokolwiek systemu przechowywania lub wyszukiwania informacji, lub w inny sposób, bez uprzedniej pisemnej zgody APM Microelectronics Semiconductor CO ., SP. Z O.O.

7, informacje (w tym schematy i parametry obwodu) w niniejszym dokumencie mają jedynie charakter przykładowy; nie jest gwarantowane w przypadku produkcji seryjnej. APM Microelectronics uważa, że ​​informacje zawarte w tym dokumencie są dokładne i wiarygodne, ale nie udziela się żadnych gwarancji ani nie sugeruje ich wykorzystania ani żadnych naruszeń praw własności intelektualnej lub innych praw osób trzecich.

8, Wszelkie informacje opisane lub zawarte w niniejszym dokumencie mogą ulec zmianie bez powiadomienia z powodu ulepszenia produktu / technologii itp. Projektując sprzęt, zapoznaj się z „Specyfikacją dostawy” produktu APM Microelectronics, którego zamierzasz używać.

Szczegóły kontaktu
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Osoba kontaktowa: David

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

Zostaw wiadomość

Oddzwonimy wkrótce!