|
Szczegóły Produktu:
|
| Nazwa produktu: | Tranzystor mocy Mosfet | Temperatura złącza:: | 150 ℃ |
|---|---|---|---|
| materiał: | Krzem | Numer modelu: | HXY4264 |
| Walizka: | Tape / Tray / Reel | typu: | tranzystor mosfet |
| High Light: | logiczny przełącznik mosfet,sterownik mosfet za pomocą tranzystora |
||
Podsumowanie produktu
| VDS | 60 V. |
| ID (przy VGS = 10 V) | 13,5 A. |
| RDS (ON) (przy VGS = 10 V) | <9,8 mΩ |
| RDS (ON) (przy VGS = 4,5 V) | <13,5 mΩ |
Ogólny opis
Technologia Trench Power AlphaSGT TM
Low R DS (ON)
Niska opłata za bramę
Aplikacje
Zasilacz o wysokiej wydajności
Wtórny prostownik synchroniczny
Charakterystyka elektryczna (T = 25 ° C, o ile nie zaznaczono inaczej )
A. Wartość R θ JA jest mierzona za pomocą urządzenia zamontowanego na 1 w 2 płytce FR-4 z 2 uncjami. Miedź w środowisku z nieruchomym powietrzem o TA = 25 ° C. The
wartość w dowolnej aplikacji zależy od konkretnego projektu płytki użytkownika.
B. Rozproszenie mocy P D oparte jest na T J (MAKS.) = 150 ° C, przy zastosowaniu rezystancji termicznej złącza do otoczenia ≤ 10s.
C. Powtarzalność, szerokość impulsu ograniczona temperaturą złącza T J (MAKS.) = 150 ° C. Oceny są oparte na niskich częstotliwościach i cyklach pracy, które należy zachować
temperatura początkowa T = 25 ° C.
D. R θ JA jest sumą impedancji termicznej od połączenia do ołowiu R θ JL i ołowiu do otoczenia.
E. Charakterystykę statyczną na rysunkach 1–6 uzyskuje się przy użyciu impulsów <300 µs, cykl roboczy maks. 0,5%.
F. Krzywe te oparte są na impedancji termicznej połączenia z otoczeniem, mierzonej za pomocą urządzenia zamontowanego na płycie FR-4 1 w 2 z
2 uncje. Miedź, przyjmując maksymalną temperaturę złącza T J (MAX) = 150 ° C. Krzywa SOA zapewnia ocenę pojedynczego impulsu.
G. Cykl pracy szczytowej maks. 5%, ograniczony temperaturą złącza TJ (MAX) = 125 ° C.
TYPOWA CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA I TERMICZNA
Osoba kontaktowa: David
