WST2078 N & P-Channel MOSFET
Opis
WST2078 jest wykopem o najwyższej wydajności
MOSFETY N-ch i P-ch z ekstremalnie wysoką komórką
gęstość, która zapewnia doskonałą RDSON i bramkę
opłata za większość małych przełączeń zasilania i
aplikacje przełączania obciążenia.
WST2078 spełnia wymagania RoHS i zielonego produktu
Wymagania z pełną niezawodnością funkcji zatwierdzone.
Aplikacje
- Synchroniczne punkty obciążenia o wysokiej częstotliwości
- Małe przełączanie zasilania dla MB / NB / UMPC / VGA
- System zasilania sieciowego DC-DC
- Przełącznik obciążenia
funkcje
- Zaawansowana technologia wykopów o wysokiej gęstości komórek
- z Super Low Gate Charge
- z Doskonały spadek efektu Cdv / dt
- z Dostępne zielone urządzenie
Bezwzględne maksymalne oceny
Dane termiczne
Charakterystyka elektryczna kanału N (TJ = 25 ℃, o ile nie zaznaczono inaczej)
Charakterystyka diody ciała dren-źródło
Uwaga :
1. Dane przetestowane przy montażu powierzchniowym na 1-calowej płycie FR-4 z miedzią 2OZ.
2. Dane testowane impulsowo, szerokość impulsu ≦ 300us, cykl pracy ≦ 2%
3. Rozpraszanie mocy jest ograniczone przez temperaturę złącza 150 ℃
4. Dane są teoretycznie takie same jak ID i IDM, w rzeczywistych aplikacjach powinny być ograniczone całkowitym rozproszeniem mocy.
Charakterystyka elektryczna kanału P (TJ = 25 ℃, o ile nie zaznaczono inaczej)
Charakterystyka diody ciała dren-źródło
Uwaga :
1. Dane testowane przez montaż powierzchniowy na 1 cal2
Płyta FR-4 z miedzią 2OZ.
2. Dane testowane impulsowo, szerokość impulsu ≦ 300us, cykl pracy ≦ 2%
3. Rozpraszanie mocy jest ograniczone przez temperaturę złącza 150 ℃ 4. Dane są teoretycznie takie same jak ID i IDM, w rzeczywistych zastosowaniach powinny być ograniczone całkowitym rozproszeniem mocy.
