Dom ProduktyWskazówka Tranzystory mocy

1.25W Tranzystory mocy NPN D882 Tip-251-3L Plastikowe tranzystory hermetyzowane

Orzecznictwo
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Opinie klientów
Współpracujemy z Hua Xuan Yang głównie dzięki ich profesjonalizmowi, ich zdecydowanej reakcji na dostosowanie potrzebnych produktów, zaspokajaniu wszystkich naszych potrzeb, a przede wszystkim świadczeniu wysokiej jakości usług.

—— —— Jason z Kanady

Zgodnie z zaleceniem mojego przyjaciela wiemy o Hua Xuan Yang, starszym ekspercie w branży półprzewodników i podzespołów elektronicznych, co pozwoliło nam skrócić nasz cenny czas i nie ryzykować próbowania innych fabryk.

—— —— Виктор z Rosji

Im Online Czat teraz

1.25W Tranzystory mocy NPN D882 Tip-251-3L Plastikowe tranzystory hermetyzowane

1.25W Tranzystory mocy NPN D882 Tip-251-3L Plastikowe tranzystory hermetyzowane
1.25W Tranzystory mocy NPN D882 Tip-251-3L Plastikowe tranzystory hermetyzowane 1.25W Tranzystory mocy NPN D882 Tip-251-3L Plastikowe tranzystory hermetyzowane

Duży Obraz :  1.25W Tranzystory mocy NPN D882 Tip-251-3L Plastikowe tranzystory hermetyzowane

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: SHENZHEN, CHINY
Nazwa handlowa: Hua Xuan Yang
Orzecznictwo: RoHS、SGS
Numer modelu: D882
Zapłata:
Minimalne zamówienie: 1000-2000 PCS
Cena: Negotiated
Szczegóły pakowania: Boxed
Czas dostawy: 12 tygodni
Zasady płatności: L / CT / T Western Union
Możliwość Supply: 18 000 000 SZT / dziennie

1.25W Tranzystory mocy NPN D882 Tip-251-3L Plastikowe tranzystory hermetyzowane

Opis
PC: 1,25 W. Temperatura złącza: 150 ℃
Temperatura przechowywania: -55-150 ℃ Tranzystor mocy mosfet: TO-251-3L Obudowa z tworzywa sztucznego
materiał: Krzem typu: Tranzystor triodowy
High Light:

tranzystor pnp tip

,

tranzystor pnp dużej mocy

Tranzystory w obudowie z tworzywa sztucznego TO-251-3L D882 TRANSISTOR (NPN)

CECHA


Rozpraszanie mocy

MAKSYMALNE OCENY (T a = 25 Š, chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol Parametr Wartość Jednostka
V CBO Napięcie podstawowe kolektora 40 V.
V CEO Napięcie kolektor-emiter 30 V.
V EBO Napięcie na podstawie emitera 6 V.
I C. Prąd kolektora - ciągły 3) ZA
P C. Rozpraszanie mocy kolektora 1,25 W.
T J Temperatura złącza 150
T stg Temperatura przechowywania -55-150




PARAMETRY ELEKTRYCZNE

T a = 25 Š, chyba że określono inaczej

Parametr Symbol Test kondycji Min Typ Max Jednostka
Napięcie przebicia podstawy kolektora V (BR) CBO I C = 100μA, I E = 0 40 V.
Napięcie przebicia kolektor-emiter V (BR) CEO I C = 10mA, I B = 0 30 V.
Napięcie przebicia bazy emitera V (BR) EBO I E = 100μA, I C = 0 6 V.
Prąd odcięcia kolektora ICBO V CB = 40 V, I E = 0 1 µA
Prąd odcięcia kolektora ICEO V CE = 30 V, I B = 0 10 µA
Prąd odcięcia emitera IEBO V EB = 6 V, I C = 0 1 µA
Wzmocnienie prądu stałego hFE V CE = 2 V, I C = 1 A. 60 400
Napięcie nasycenia kolektor-emiter VCE (sat) I C = 2 A, I B = 0,2 A. 0,5 V.
Napięcie nasycenia bazy i emitera VBE (sat) I C = 2 A, I B = 0,2 A. 1.5 V.

Częstotliwość przejścia

f T.

V CE = 5 V, I C = 0,1 A.

f = 10 MHz

90

MHz


KLASYFIKACJA h FE (2)

Ranga R O Y GR
Zasięg 60–120 100–200 160–320 200–400


Typowe charakterystyki






Szczegóły kontaktu
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Osoba kontaktowa: David

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

Zostaw wiadomość

Oddzwonimy wkrótce!