|
Szczegóły Produktu:
|
| Funkcja: | Niski wyciek | Tranzystor mocy mosfet: | Tranzystory z obudową z tworzywa sztucznego SOT-23 |
|---|---|---|---|
| ID produktu: | MMBT4403 | typu: | Przełączanie diody |
| High Light: | tranzystor wysokiej częstotliwości,zasilanie tranzystorów mosfet |
||
Tranzystory w obudowie z tworzywa sztucznego SOT-23 MMBT4403 TRANSISTOR (NPN)
Tranzystor przełączający
MAKSYMALNE OCENY (Ta = 25 ℃, chyba że zaznaczono inaczej)
| Symbol | Parametr | Wartość | Jednostka |
| V CBO | Napięcie podstawowe kolektora | -40 | V. |
| V CEO | Napięcie kolektor-emiter | -40 | V. |
| V EBO | Napięcie na podstawie emitera | -5 | V. |
| I C. | Prąd kolektora | -600 | mama |
| P C. | Rozpraszanie mocy kolektora | 300 | mW |
| R ΘJA | Odporność termiczna od połączenia do otoczenia | 417 | ℃ / W |
| T j | Temperatura złącza | 150 | ℃ |
| T stg | Temperatura przechowywania | -55 ～ + 150 | ℃ |
CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA (Ta = 25 ℃, chyba że określono inaczej)
| Parametr | Symbol | Test kondycji | Min | Typ | Max | Jednostka |
| Napięcie przebicia podstawy kolektora | V (BR) CBO | I C = -100μA, I E = 0 | -40 | V. | ||
| Napięcie przebicia kolektor-emiter | V (BR) CEO | I C = -1mA, I B = 0 | -40 | V. | ||
| Napięcie przebicia bazy emitera | V (BR) EBO | I E = -100μA, I C = 0 | -5 | V. | ||
| Prąd odcięcia kolektora | ICBO | V CB = -35 V, I E = 0 | -0,1 | μA | ||
| Prąd odcięcia kolektora | ICEX | VCE = -35 V, VBE = 0,4 V. | -0,1 | μA | ||
| Prąd odcięcia emitera | IEBO | V EB = -4 V, I C = 0 | -0,1 | μA | ||
Wzmocnienie prądu stałego | hFE1 | V CE = -1 V, I C = -0,1 mA | 30 | |||
| hFE2 | V CE = -1 V, I C = -1 mA | 60 | ||||
| hFE3 | V CE = -1 V, I C = -10 mA | 100 | ||||
| hFE4 | V CE = -2 V, I C = -150 mA | 100 | 300 | |||
| hFE5 | V CE = -2 V, I C = -500mA | 20 | ||||
Napięcie nasycenia kolektor-emiter | VCE (sat) | I C = -150mA, I B = -15mA | -0,4 | V. | ||
| I C = -500mA, I B = -50mA | -0,75 | V. | ||||
Napięcie nasycenia bazy i emitera | VBE (sat) | I C = -150mA, I B = -15mA | -0,95 | V. | ||
| I C = -500mA, I B = -50mA | -1,3 | V. | ||||
| Częstotliwość przejścia | f T. | V CE = -10 V, I C = -20 mA, f = 100 MHz | 200 | MHz | ||
| Czas zwłoki | t d | VCC = -30 V, VBE (wyłączony) = - 0,5 V. IC = -150mA, IB1 = -15mA | 15 | ns | ||
| Czas wschodu | t r | 20 | ns | |||
| Czas przechowywania | t s | VCC = -30 V, IC = -150 mA IB1 = IB2 = -15mA | 225 | ns | ||
| Czas upadku | t f | 60 | ns |
Typowe cechy charakterystyczne 
Wymiary konturu opakowania
| Symbol | Wymiary w milimetrach | Wymiary w calach | ||
| Min | Max | Min | Max | |
| ZA | 0,900 | 1.150 | 0,035 | 0,045 |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1.050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| do | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| re | 2.800 | 3.000 | 0,110 | 0,118 |
| mi | 1.200 | 1.400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2.250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| mi | 0,950 TYP | 0,037 TYP | ||
| e1 | 1.800 | 2.000 | 0,071 | 0,079 |
| L. | 0,550 REF | 0,022 REF | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0 ° | 8 ° | 0 ° | 8 ° |
Osoba kontaktowa: David
