|
Szczegóły Produktu:
|
| typu: | Silikonowy tranzystor mocy | Funkcja: | Niski ekwiwalent rezystancji |
|---|---|---|---|
| Napięcie kolektor-emiter: | 60v | Temperatura przechowywania: | -55 ～ + 150 ℃ |
| Rozpraszanie mocy kolektora: | 250mW | Szczytowy prąd pulsacyjny: | 2A |
| High Light: | tranzystor wysokiej częstotliwości,zasilanie tranzystorów mosfet |
||
Tranzystory w obudowie z tworzywa sztucznego SOT-23 FMMT491 TRANSISTOR (NPN)
Niski ekwiwalent oporności
MAKSYMALNE OCENY (Ta = 25 ℃, chyba że zaznaczono inaczej)
| Symbol | Parametr | Wartość | Jednostka |
| V CBO | Napięcie podstawowe kolektora | 80 | V. |
| V CEO | Napięcie kolektor-emiter | 60 | V. |
| V EBO | Napięcie na podstawie emitera | 5 | V. |
| I C. | Prąd kolektora | 1 | ZA |
| I CM | Szczytowy prąd pulsacyjny | 2) | ZA |
| P C. | Rozpraszanie mocy kolektora | 250 | mW |
| R ΘJA | Odporność termiczna od połączenia do otoczenia | 500 | ℃ / W |
| T j | Temperatura złącza | 150 | ℃ |
| T stg | Temperatura przechowywania | -55 ～ + 150 | ℃ |
CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA (Ta = 25 ℃, chyba że określono inaczej)
| Parametr | Symbol | Test kondycji | Min | Typ | Max | Jednostka |
| Napięcie przebicia podstawy kolektora | V (BR) CBO | I C = 100μA, I E = 0 | 80 | V. | ||
| Napięcie przebicia kolektor-emiter | V (BR) CEO 1 | I C = 10mA, I B = 0 | 60 | V. | ||
| Napięcie przebicia bazy emitera | V (BR) EBO | I E = 100μA, I C = 0 | 5 | V. | ||
| Prąd odcięcia kolektora | ICBO | V CB = 60 V, I E = 0 | 0,1 | μA | ||
| Prąd odcięcia emitera | IEBO | V EB = 4 V, I C = 0 | 0,1 | μA | ||
Wzmocnienie prądu stałego | hFE (1) | V CE = 5 V, I C = 1 mA | 100 | |||
| hFE (2) 1 | V CE = 5 V, I C = 500 mA | 100 | 300 | |||
| hFE (3) 1 | V CE = 5 V, I C = 1 A. | 80 | ||||
| hFE (4) 1 | V CE = 5 V, I C = 2 A. | 30 | ||||
Napięcie nasycenia kolektor-emiter | VCE (sat) 1 1 | I C = 500mA, I B = 50mA | 0,25 | V. | ||
| VCE (sat) 2 1 | I C = 1A, I B = 100mA | 0,5 | V. | |||
| Napięcie nasycenia bazy i emitera | VBE (sat) 1 | I C = 1A, I B = 100mA | 1.1 | V. | ||
| Napięcie emitera bazy | 1 VBE | V CE = 5 V, I C = 1 A. | 1 | V. | ||
| Częstotliwość przejścia | fT | V CE = 10 V, I C = 50 mA, f = 100 MHz | 150 | MHz | ||
| Pojemność wyjściowa kolektora | Kaczan | V CB = 10 V, f = 1 MHz | 10 | pF |
Mierzone w warunkach pulsacyjnych, szerokość impulsu = 300 μs, cykl pracy ≤ 2%.
Typowe cechy charakterystyczne 
Wymiary konturu opakowania
| Symbol | Wymiary w milimetrach | Wymiary w calach | ||
| Min | Max | Min | Max | |
| ZA | 0,900 | 1.150 | 0,035 | 0,045 |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1.050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| do | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| re | 2.800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| mi | 1.200 | 1.400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2.250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| mi | 0,950 TYP | 0,037 TYP | ||
| e1 | 1.800 | 2.000 | 0,071 | 0,079 |
| L. | 0,550 REF | 0,022 REF | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0 ° | 8 ° | 0 ° | 8 ° |
Osoba kontaktowa: David
