Dom ProduktyTranzystor mocy Mosfet

Tranzystor mocy Mosfet o wysokiej gęstości ogniw do sterowania małymi silnikami

Orzecznictwo
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Opinie klientów
Współpracujemy z Hua Xuan Yang głównie dzięki ich profesjonalizmowi, ich zdecydowanej reakcji na dostosowanie potrzebnych produktów, zaspokajaniu wszystkich naszych potrzeb, a przede wszystkim świadczeniu wysokiej jakości usług.

—— —— Jason z Kanady

Zgodnie z zaleceniem mojego przyjaciela wiemy o Hua Xuan Yang, starszym ekspercie w branży półprzewodników i podzespołów elektronicznych, co pozwoliło nam skrócić nasz cenny czas i nie ryzykować próbowania innych fabryk.

—— —— Виктор z Rosji

Im Online Czat teraz

Tranzystor mocy Mosfet o wysokiej gęstości ogniw do sterowania małymi silnikami

Tranzystor mocy Mosfet o wysokiej gęstości ogniw do sterowania małymi silnikami
Tranzystor mocy Mosfet o wysokiej gęstości ogniw do sterowania małymi silnikami Tranzystor mocy Mosfet o wysokiej gęstości ogniw do sterowania małymi silnikami

Duży Obraz :  Tranzystor mocy Mosfet o wysokiej gęstości ogniw do sterowania małymi silnikami

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: SHENZHEN, CHINY
Nazwa handlowa: Hua Xuan Yang
Orzecznictwo: RoHS、SGS
Numer modelu: AP8205A
Zapłata:
Minimalne zamówienie: Negocjacji
Cena: Negotiated
Szczegóły pakowania: Boxed
Czas dostawy: 12 tygodni
Zasady płatności: L / CT / T Western Union
Możliwość Supply: 18 000 000 sztuk / dzień

Tranzystor mocy Mosfet o wysokiej gęstości ogniw do sterowania małymi silnikami

Opis
Nazwa produktu: Tranzystor mocy Mosfet Model: AP8205A
Pakiet: TSSOP-8 Cechowanie: 8205A
VDSDrain-Source Voltage: 20 V. VGSGate-Sou rce Napięcie: ± 12V
High Light:

n kanałowy tranzystor mosfet

,

tranzystor wysokiego napięcia

Tranzystor mocy Mosfet o wysokiej gęstości ogniw do sterowania małymi silnikami

Tranzystor mocy Mosfet Opis:

AP8205A jest wykopem o najwyższej wydajności
N-ch MOSFET o ekstremalnie wysokiej gęstości komórek,
które zapewniają doskonałe RDSON i ładowanie bramki
dla większości małych przełączeń zasilania i
aplikacje przełączania obciążenia. Spełniają RoHS i
Zatwierdzony wymóg produktu z pełną niezawodnością funkcji.

Funkcje tranzystora mocy Mosfet

VDS = 20 V ID = 6 A.
RDS (WŁ.) <27 mΩ @ VGS = 4,5 V.
RDS (WŁ.) <37 mΩ @ VGS = 2,5 V.

Zastosowanie tranzystora mocy Mosfet

Ochrona baterii
Nieprzerwana dostawa energii

Informacje na temat oznaczania paczek i zamawiania

ID produktu Pakiet Cechowanie Ilość (PCS)
AP8205A TSSOP-8 8205A 5000

Bezwzględne maksymalne oceny (TA = 25 ℃, o ile nie zaznaczono inaczej )

Parametr Symbol Limit Jednostka
Napięcie dren-źródło VDS 20 V.
Napięcie bramkowe VGS ± 12 V.
Drain Current-Continuous ID 6 ZA
Impulsowe odprowadzanie prądu (uwaga 1) IDM 25 ZA
Maksymalne rozproszenie mocy PD 1.5 W.
Złącze robocze i zakres temperatur przechowywania TJ, TSTG -55 do 150
Odporność termiczna, połączenie z otoczeniem (uwaga 2) RθJA 83 ℃ / W

Charakterystyka elektryczna (T A = 25 ℃, o ile nie zaznaczono inaczej )

Parametr Symbol Stan Min Typ Max Jednostka
Napięcie przebicia dren-źródło BVDSS VGS = 0 V ID = 250 μA 20 21 - V.
Prąd zerowy napięcia prądu spustowego IDSS VDS = 19,5 V, V GS = 0 V. - - 1 μA
Prąd upływu w korpusie IGSS VGS = ± 10 V, VDS = 0 V. - - ± 100 nA
bramka napięcia progowego VGS (th) VDS = VGS, ID = 250μA 0,5 0,7 1.2 V.

Oporność na stan dren-źródło

RDS (WŁ.)

VGS = 4,5 V, ID = 4,5 A. - 21 27
VGS = 2,5 V, ID = 3,5 A. - 27 37
Przekaźniki nadprzewodnikowe gFS VDS = 5 V, ID = 4,5 A. - 10 - S.
Pojemność wejściowa Clss - 600 - PF
Pojemność wyjściowa Coss - 330 - PF
Pojemność odwrotnego transferu Crss - 140 - PF
Czas opóźnienia włączenia td (on) - 10 20 nS
Czas narastania

r

t

- 11 25 nS
Czas opóźnienia wyłączenia td (wył.) - 35 70 nS
Wyłącz czas opadania

fa

t

- 30 60 nS
Całkowita opłata za bramę Qg

VDS = 10 V, ID = 6 A,

- 10 15 nC
Opłata za bramę Qs - 2.3 - nC
Opłata za drenaż bramy Qgd - 1.5 - nC
Napięcie przewodzenia diody (Uwaga 3) VSD VGS = 0 V, IS = 1,7 A. - 0,75 1.2 V.
Prąd przewodzenia diody (Uwaga 2)

S.

ja

- - 1.7 ZA
Parametr Symbol Stan Min Typ Max Jednostka
Napięcie przebicia dren-źródło BVDSS VGS = 0 V ID = 250 μA 20 21 - V.
Prąd zerowy napięcia prądu spustowego IDSS VDS = 19,5 V, V GS = 0 V. - - 1 μA
Prąd upływu w korpusie IGSS VGS = ± 10 V, VDS = 0 V. - - ± 100 nA
bramka napięcia progowego VGS (th) VDS = VGS, ID = 250μA 0,5 0,7 1.2 V.

Oporność na stan dren-źródło

RDS (WŁ.)

VGS = 4,5 V, ID = 4,5 A. - 21 27
VGS = 2,5 V, ID = 3,5 A. - 27 37
Przekaźniki nadprzewodnikowe gFS VDS = 5 V, ID = 4,5 A. - 10 - S.
Pojemność wejściowa Clss - 600 - PF
Pojemność wyjściowa Coss - 330 - PF
Pojemność odwrotnego transferu Crss - 140 - PF
Czas opóźnienia włączenia td (on) - 10 20 nS
Czas narastania

r

t

- 11 25 nS
Czas opóźnienia wyłączenia td (wył.) - 35 70 nS
Wyłącz czas opadania

fa

t

- 30 60 nS
Całkowita opłata za bramę Qg

VDS = 10 V, ID = 6 A,

- 10 15 nC
Opłata za bramę Qs - 2.3 - nC
Opłata za drenaż bramy Qgd - 1.5 - nC
Napięcie przewodzenia diody (Uwaga 3) VSD VGS = 0 V, IS = 1,7 A. - 0,75 1.2 V.
Prąd przewodzenia diody (Uwaga 2)

S.

ja

- - 1.7 ZA

Uwagi:

1. Powtarzalność: szerokość impulsu ograniczona maksymalną temperaturą złącza. 2. Montaż powierzchniowy na płycie FR4, t ≤ 10 sek.

3. Test impulsu: szerokość impulsu ≤ 300 μs, cykl pracy ≤ 2%.

4. Gwarantowane przez projekt, niepodlegające produkcji

Uwaga

1, Żaden opisany lub zawarty w nim produkt APM Microelectronics nie ma specyfikacji, które mogłyby obsługiwać aplikacje wymagające wyjątkowo wysokiego poziomu niezawodności, takie jak systemy podtrzymywania życia, systemy sterowania samolotem lub inne aplikacje, których awarii można racjonalnie oczekiwać w wyniku poważne szkody fizyczne i / lub materialne. Przed użyciem jakichkolwiek produktów APM Microelectronics opisanych lub zawartych w tych aplikacjach skonsultuj się z najbliższym przedstawicielem APM Microelectronics.

2, APM Microelectronics nie przyjmuje odpowiedzialności za awarie sprzętu wynikające z używania produktów o wartościach przekraczających nawet chwilowo wartości znamionowe (takie jak maksymalne wartości znamionowe, zakresy warunków pracy lub inne parametry) wymienione w specyfikacjach produktów wszystkich produktów APM Microelectronics opisane lub zawarte w niniejszym dokumencie.

3, Specyfikacje wszystkich opisanych tutaj lub zawartych produktów APM Microelectronics w sposób niezależny określają wydajność, charakterystykę i funkcje opisanych produktów i nie stanowią gwarancji wydajności, właściwości i funkcji opisanych produktów w stanie zamontowanym produkty lub sprzęt klienta. Aby zweryfikować objawy i stany, których nie można ocenić w niezależnym urządzeniu, klient powinien zawsze oceniać i testować urządzenia zamontowane w produktach lub sprzęcie klienta.

4, APM Microelectronics Semiconductor CO., LTD. stara się dostarczać wysokiej jakości produkty o wysokiej niezawodności. Jednak niektóre produkty półprzewodnikowe zawodzą z pewnym prawdopodobieństwem. Możliwe jest, że te probabilistyczne awarie mogą prowadzić do wypadków lub zdarzeń, które mogą zagrozić życiu ludzi, które mogą spowodować powstanie dymu lub ognia, lub które mogą spowodować szkody w innych mieniach. Przy projektowaniu sprzętu stosuj środki bezpieczeństwa, aby tego rodzaju wypadki lub zdarzenia nie mogły się zdarzyć. Takie środki obejmują między innymi obwody ochronne i obwody zapobiegające błędom do bezpiecznego projektowania, projektowania redundantnego i projektowania strukturalnego.

5, W przypadku, gdy jakikolwiek lub wszystkie produkty APM Microelectronics (w tym dane techniczne, usługi) opisane lub zawarte w niniejszym dokumencie są kontrolowane zgodnie z obowiązującymi lokalnymi przepisami i regulacjami dotyczącymi kontroli eksportu, takich produktów nie wolno eksportować bez uzyskania pozwolenia eksportowego od władz dotyczy zgodnie z powyższym prawem.

6, Żadna część niniejszej publikacji nie może być powielana ani przesyłana w żadnej formie ani za pomocą jakichkolwiek środków, elektronicznych lub mechanicznych, w tym kserokopii i nagrywania, lub jakiegokolwiek systemu przechowywania lub wyszukiwania informacji, lub w inny sposób, bez uprzedniej pisemnej zgody APM Microelectronics Semiconductor CO ., SP. Z O.O.

7, informacje (w tym schematy i parametry obwodu) w niniejszym dokumencie mają jedynie charakter przykładowy; nie jest gwarantowane w przypadku produkcji seryjnej. APM Microelectronics uważa, że ​​informacje zawarte w tym dokumencie są dokładne i wiarygodne, ale nie udziela się żadnych gwarancji ani nie sugeruje ich wykorzystania ani żadnych naruszeń praw własności intelektualnej lub innych praw osób trzecich.

8, Wszelkie informacje opisane lub zawarte w niniejszym dokumencie mogą ulec zmianie bez powiadomienia z powodu ulepszenia produktu / technologii itp. Projektując sprzęt, zapoznaj się z „Specyfikacją dostawy” produktu APM Microelectronics, którego zamierzasz używać.

Szczegóły kontaktu
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Osoba kontaktowa: David

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

Zostaw wiadomość

Oddzwonimy wkrótce!