Dom ProduktyTranzystor mocy Mosfet

AP15N10S Mos Tranzystor polowy / 15A 100 V logiczny przełącznik mosfet

Orzecznictwo
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Opinie klientów
Współpracujemy z Hua Xuan Yang głównie dzięki ich profesjonalizmowi, ich zdecydowanej reakcji na dostosowanie potrzebnych produktów, zaspokajaniu wszystkich naszych potrzeb, a przede wszystkim świadczeniu wysokiej jakości usług.

—— —— Jason z Kanady

Zgodnie z zaleceniem mojego przyjaciela wiemy o Hua Xuan Yang, starszym ekspercie w branży półprzewodników i podzespołów elektronicznych, co pozwoliło nam skrócić nasz cenny czas i nie ryzykować próbowania innych fabryk.

—— —— Виктор z Rosji

Im Online Czat teraz

AP15N10S Mos Tranzystor polowy / 15A 100 V logiczny przełącznik mosfet

AP15N10S Mos Tranzystor polowy / 15A 100 V logiczny przełącznik mosfet
AP15N10S Mos Tranzystor polowy / 15A 100 V logiczny przełącznik mosfet AP15N10S Mos Tranzystor polowy / 15A 100 V logiczny przełącznik mosfet AP15N10S Mos Tranzystor polowy / 15A 100 V logiczny przełącznik mosfet

Duży Obraz :  AP15N10S Mos Tranzystor polowy / 15A 100 V logiczny przełącznik mosfet

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: SHENZHEN, CHINY
Nazwa handlowa: Hua Xuan Yang
Orzecznictwo: RoHS、SGS
Numer modelu: AP15N10S
Zapłata:
Minimalne zamówienie: Negocjacji
Cena: Negotiated
Szczegóły pakowania: Boxed
Czas dostawy: 12 tygodni
Zasady płatności: L / CT / T Western Union
Możliwość Supply: 18 000 000 sztuk / dzień

AP15N10S Mos Tranzystor polowy / 15A 100 V logiczny przełącznik mosfet

Opis
Nazwa produktu: Tranzystor polowy Mos Model: AP15N10S
Pakiet: SPO-8 Cechowanie: AP15N10S XXX RRRR
VDSDrain-Source Voltage: 100 V. VGSGate-Sou rce Napięcie: ± 20 V.
High Light:

n kanałowy tranzystor mosfet

,

tranzystor wysokiego napięcia

AP15N10S Mos Tranzystor polowy / 15A 100 V logiczny przełącznik mosfet

Wprowadzenie do tranzystora polowego Mos

MOSFET-y mocy są zwykle używane w aplikacjach, w których napięcia nie przekraczają około 200 woltów. Wyższe napięcia nie są tak łatwo osiągalne. Tam, gdzie stosowane są MOSFET-y mocy, szczególnie atrakcyjna jest ich niska rezystancja włączenia. Zmniejsza to rozpraszanie mocy, co zmniejsza koszty i rozmiar, mniej prac metalowych i wymagane jest chłodzenie. Również niski opór ON oznacza, że ​​poziomy wydajności można utrzymać na wyższym poziomie

Funkcje tranzystora polowego Mos

VDS = 100 V ID = 15 A.
RDS (WŁ.) <120 mΩ @ VGS = 10 V.

Zastosowanie tranzystora polowego Mos

VDS = 100 V ID = 15 A.
RDS (WŁ.) <120 mΩ @ VGS = 10 V.

Informacje na temat oznaczania paczek i zamawiania

ID produktu Pakiet Cechowanie Ilość (PCS)
AP15N10S SPO-8 AP15N10S XXX RRRR 3000

Bezwzględne maksymalne oceny (TC = 25 ℃, chyba że zaznaczono inaczej )

Symbol Parametr Ocena Jednostki
VDS Napięcie dren-źródło 100 V.
VGS Napięcie wyjściowe ± 20 V.
ID @ TA = 25 ℃ Ciągły prąd drenu, V GS @ 10 V 1 15 ZA
ID @ TA = 70 ℃ Ciągły prąd drenu, V GS @ 10 V 1 7 ZA
IDM Impulsowy prąd spustowy 2 30 ZA
EAS Energia lawinowa pojedynczego impulsu 3 6.1 mJ
MSR Prąd lawinowy 11 ZA
PD @ TA = 25 ℃ Całkowite rozproszenie mocy 3 1.5 W.
TSTG Zakres temperatur przechowywania Od -55 do 150
TJ Zakres temperatur złącza roboczego Od -55 do 150
RθJA Odporność termiczna Złącze-otoczenie 1 85 ℃ / W
RθJC Obudowa złącza termicznego 1 36 ℃ / W

Charakterystyka elektryczna (T J = 25, o ile nie zaznaczono inaczej)

Symbol Parametr Warunki Min. Typ. Max. Jednostka
BVDSS Napięcie przebicia dren-źródło VGS = 0 V, ID = 250uA 100 --- --- V.
△ BVDSS / △ TJ Współczynnik temperaturowy BVDSS Odniesienie do 25 ℃, ID = 1mA --- 0,098 --- V / ℃

RDS (WŁ.)

Rezystancja statycznego źródła drenażu

VGS = 10 V, ID = 2 A. --- 90 112
VGS = 4,5 V, ID = 1 A. --- 95 120
VGS (th) bramka napięcia progowego 1.0 1.5 2.5 V.
△ VGS (th) VGS (th) Współczynnik temperaturowy --- -4,57 --- mV / ℃

IDSS

Prąd upływowy źródła drenażu

VDS = 80 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ --- --- 10

USA

VDS = 80 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ --- --- 100
IGSS Prąd upływowy w bramie VGS = ± 20 V, VDS = 0 V. --- --- ± 100 nA
gfs Przekaźniki nadprzewodnikowe VDS = 5 V, ID = 2 A. --- 12 --- S.
Rg Odporność na bramę VDS = 0 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz --- 2) 4
Qg Total Gate Charge (10 V) --- 19,5 ---
Qs Opłata za bramę --- 3.2 ---
Qgd Opłata za drenaż bramy --- 3.6 ---
Td (włączony) Czas opóźnienia włączenia

VDD = 50 V, VGS = 10 V,

--- 16.2 ---
Tr Czas narastania --- 3) ---
Td (wył.) Czas opóźnienia wyłączenia --- 44 ---
Tf Czas upadku --- 2.6 ---
Ciss Pojemność wejściowa --- 1535 ---
Coss Pojemność wyjściowa --- 60 ---
Crss Pojemność odwrotnego transferu --- 37,4 ---
JEST Ciągłe źródło prądu 1,5

VG = VD = 0 V, siła prądu

--- --- 4 ZA
IZM Impulsowe źródło prądu 2,5 --- --- 8 ZA
VSD Napięcie przewodzenia diody 2 VGS = 0 V, IS = 1 A, TJ = 25 ℃ --- --- 1.2 V.
Symbol Parametr Warunki Min. Typ. Max. Jednostka
BVDSS Napięcie przebicia dren-źródło VGS = 0 V, ID = 250uA 100 --- --- V.
△ BVDSS / △ TJ Współczynnik temperaturowy BVDSS Odniesienie do 25 ℃, ID = 1mA --- 0,098 --- V / ℃

RDS (WŁ.)

Rezystancja statycznego źródła drenażu

VGS = 10 V, ID = 2 A. --- 90 112
VGS = 4,5 V, ID = 1 A. --- 95 120
VGS (th) bramka napięcia progowego 1.0 1.5 2.5 V.
△ VGS (th) VGS (th) Współczynnik temperaturowy --- -4,57 --- mV / ℃

IDSS

Prąd upływowy źródła drenażu

VDS = 80 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ --- --- 10

USA

VDS = 80 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ --- --- 100
IGSS Prąd upływowy w bramie VGS = ± 20 V, VDS = 0 V. --- --- ± 100 nA
gfs Przekaźniki nadprzewodnikowe VDS = 5 V, ID = 2 A. --- 12 --- S.
Rg Odporność na bramę VDS = 0 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz --- 2) 4
Qg Total Gate Charge (10 V) --- 19,5 ---
Qs Opłata za bramę --- 3.2 ---
Qgd Opłata za drenaż bramy --- 3.6 ---
Td (włączony) Czas opóźnienia włączenia

VDD = 50 V, VGS = 10 V,

--- 16.2 ---
Tr Czas narastania --- 3) ---
Td (wył.) Czas opóźnienia wyłączenia --- 44 ---
Tf Czas upadku --- 2.6 ---
Ciss Pojemność wejściowa --- 1535 ---
Coss Pojemność wyjściowa --- 60 ---
Crss Pojemność odwrotnego transferu --- 37,4 ---
JEST Ciągłe źródło prądu 1,5

VG = VD = 0 V, siła prądu

--- --- 4 ZA
IZM Impulsowe źródło prądu 2,5 --- --- 8 ZA
VSD Napięcie przewodzenia diody 2 VGS = 0 V, IS = 1 A, TJ = 25 ℃ --- --- 1.2 V.

Uwaga :

1. Dane testowane przez montaż powierzchniowy na 1-calowej płycie FR-4 z miedzią 2OZ.

2. Dane testowane pulsacyjnie, szerokość impulsu ≦ 300us, cykl pracy ≦ 2%

3. Dane EAS pokazują Max. ocena Warunkiem testu jest VDD = 25 V, VGS = 10 V, L = 0,1 mH, IAS = 11A

4. Rozpraszanie mocy jest ograniczone przez temperaturę złącza 175 ℃

5. Dane są teoretycznie takie same jak ID i IDM, w rzeczywistych aplikacjach powinny być ograniczone całkowitym rozproszeniem mocy

Uwaga

1, Żaden opisany lub zawarty w nim produkt APM Microelectronics nie ma specyfikacji, które mogłyby obsługiwać aplikacje wymagające wyjątkowo wysokiego poziomu niezawodności, takie jak systemy podtrzymywania życia, systemy sterowania samolotem lub inne aplikacje, których awarii można racjonalnie oczekiwać w wyniku poważne szkody fizyczne i / lub materialne. Przed użyciem jakichkolwiek produktów APM Microelectronics opisanych lub zawartych w tych aplikacjach skonsultuj się z najbliższym przedstawicielem APM Microelectronics.

2, APM Microelectronics nie przyjmuje odpowiedzialności za awarie sprzętu wynikające z używania produktów o wartościach przekraczających nawet chwilowo wartości znamionowe (takie jak maksymalne wartości znamionowe, zakresy warunków pracy lub inne parametry) wymienione w specyfikacjach produktów wszystkich produktów APM Microelectronics opisane lub zawarte w niniejszym dokumencie.

3, Specyfikacje wszystkich opisanych tutaj lub zawartych produktów APM Microelectronics w sposób niezależny określają wydajność, charakterystykę i funkcje opisanych produktów i nie stanowią gwarancji wydajności, właściwości i funkcji opisanych produktów w stanie zamontowanym produkty lub sprzęt klienta. Aby zweryfikować objawy i stany, których nie można ocenić w niezależnym urządzeniu, klient powinien zawsze oceniać i testować urządzenia zamontowane w produktach lub sprzęcie klienta.

4, APM Microelectronics Semiconductor CO., LTD. stara się dostarczać wysokiej jakości produkty o wysokiej niezawodności. Jednak niektóre produkty półprzewodnikowe zawodzą z pewnym prawdopodobieństwem. Możliwe jest, że te probabilistyczne awarie mogą prowadzić do wypadków lub zdarzeń, które mogą zagrozić życiu ludzi, które mogą spowodować powstanie dymu lub ognia, lub które mogą spowodować szkody w innych mieniach. Przy projektowaniu sprzętu stosuj środki bezpieczeństwa, aby tego rodzaju wypadki lub zdarzenia nie mogły się zdarzyć. Takie środki obejmują między innymi obwody ochronne i obwody zapobiegające błędom do bezpiecznego projektowania, projektowania redundantnego i projektowania strukturalnego.

5, W przypadku, gdy jakikolwiek lub wszystkie produkty APM Microelectronics (w tym dane techniczne, usługi) opisane lub zawarte w niniejszym dokumencie są kontrolowane zgodnie z obowiązującymi lokalnymi przepisami i regulacjami dotyczącymi kontroli eksportu, takich produktów nie wolno eksportować bez uzyskania pozwolenia eksportowego od władz dotyczy zgodnie z powyższym prawem.

6, Żadna część niniejszej publikacji nie może być powielana ani przesyłana w żadnej formie ani za pomocą jakichkolwiek środków, elektronicznych lub mechanicznych, w tym kserokopii i nagrywania, lub jakiegokolwiek systemu przechowywania lub wyszukiwania informacji, lub w inny sposób, bez uprzedniej pisemnej zgody APM Microelectronics Semiconductor CO ., SP. Z O.O.

7, informacje (w tym schematy i parametry obwodu) w niniejszym dokumencie mają jedynie charakter przykładowy; nie jest gwarantowane w przypadku produkcji seryjnej. APM Microelectronics uważa, że ​​informacje zawarte w tym dokumencie są dokładne i wiarygodne, ale nie udziela się żadnych gwarancji ani nie sugeruje ich wykorzystania ani żadnych naruszeń praw własności intelektualnej lub innych praw osób trzecich.

8, Wszelkie informacje opisane lub zawarte w niniejszym dokumencie mogą ulec zmianie bez powiadomienia z powodu ulepszenia produktu / technologii itp. Projektując sprzęt, zapoznaj się z „Specyfikacją dostawy” produktu APM Microelectronics, którego zamierzasz używać.

Szczegóły kontaktu
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Osoba kontaktowa: David

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

Zostaw wiadomość

Oddzwonimy wkrótce!