60N06HX 60V Mos Tranzystor polowy w trybie N Kanał wzmacniający MOSFET

Name: 60N06HX 60V Mos Tranzystor polowy w trybie N Kanał wzmacniający MOSFET
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 60N06HX

Wszystkie produkty

Tranzystor mocy Mosfet
(118)

Wskazówka Tranzystory mocy
(30)

Silikonowy tranzystor mocy
(19)

Podwójna dioda przełączająca
(15)

Tranzystor polowy Mos
(29)

Dwukanałowy Mosfet
(10)

Dioda prostownicza do szybkiego odzyskiwania
(6)

Dioda Zenera mocy
(6)

Schottky Bridge Rectifier
(10)

Dioda prostownicza wysokiego napięcia
(15)

Trioda półprzewodnikowa
(9)

Stabilizator napięcia IC
(14)

Orzecznictwo

Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty

Opinie klientów

Współpracujemy z Hua Xuan Yang głównie dzięki ich profesjonalizmowi, ich zdecydowanej reakcji na dostosowanie potrzebnych produktów, zaspokajaniu wszystkich naszych potrzeb, a przede wszystkim świadczeniu wysokiej jakości usług.

—— —— Jason z Kanady

Zgodnie z zaleceniem mojego przyjaciela wiemy o Hua Xuan Yang, starszym ekspercie w branży półprzewodników i podzespołów elektronicznych, co pozwoliło nam skrócić nasz cenny czas i nie ryzykować próbowania innych fabryk.

—— —— Виктор z Rosji

Im Online Czat teraz

60N06HX 60V Mos Tranzystor polowy w trybie N Kanał wzmacniający MOSFET

Duży Obraz : 60N06HX 60V Mos Tranzystor polowy w trybie N Kanał wzmacniający MOSFET

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia:	SHENZHEN, CHINY
Nazwa handlowa:	Hua Xuan Yang
Orzecznictwo:	RoHS、SGS
Numer modelu:	60N06HX

Zapłata:

Minimalne zamówienie:	1000-2000 PCS
Cena:	Negotiated
Szczegóły pakowania:	Boxed
Czas dostawy:	12 tygodni
Zasady płatności:	L / CT / T Western Union
Możliwość Supply:	18 000 000 SZT / dziennie

Kontakt

60N06HX 60V Mos Tranzystor polowy w trybie N Kanał wzmacniający MOSFET

Opis

Nazwa produktu:	Tranzystor mocy Mosfet	Temperatura złącza::	150 ℃
materiał:	Krzem	Numer modelu:	60N06HX
Walizka:	Tape / Tray / Reel	typu:	tranzystor mosfet
High Light:	tranzystor wysokoprądowy , przełącznik logiczny mosfet

60N06HX 200 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Podsumowanie produktu

18N20X wykorzystuje zaawansowaną technologię płaszczyznową, aby zapewnić doskonałe RDS (ON), niskie ładowanie bramki i działanie przy napięciu bramki tak niskim jak 2,5 V. To urządzenie nadaje się do użytku jako ochrona baterii lub w innych aplikacjach przełączających.