Dom ProduktyTranzystor polowy Mos

Tranzystor polowy 60 V Mosch N Channel AlphaSGT HXY4264 Materiał silikonowy

Orzecznictwo
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Opinie klientów
Współpracujemy z Hua Xuan Yang głównie dzięki ich profesjonalizmowi, ich zdecydowanej reakcji na dostosowanie potrzebnych produktów, zaspokajaniu wszystkich naszych potrzeb, a przede wszystkim świadczeniu wysokiej jakości usług.

—— —— Jason z Kanady

Zgodnie z zaleceniem mojego przyjaciela wiemy o Hua Xuan Yang, starszym ekspercie w branży półprzewodników i podzespołów elektronicznych, co pozwoliło nam skrócić nasz cenny czas i nie ryzykować próbowania innych fabryk.

—— —— Виктор z Rosji

Im Online Czat teraz

Tranzystor polowy 60 V Mosch N Channel AlphaSGT HXY4264 Materiał silikonowy

Tranzystor polowy 60 V Mosch N Channel AlphaSGT HXY4264 Materiał silikonowy
Tranzystor polowy 60 V Mosch N Channel AlphaSGT HXY4264 Materiał silikonowy

Duży Obraz :  Tranzystor polowy 60 V Mosch N Channel AlphaSGT HXY4264 Materiał silikonowy

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: SHENZHEN, CHINY
Nazwa handlowa: Hua Xuan Yang
Orzecznictwo: RoHS、SGS
Numer modelu: HXY4264
Zapłata:
Minimalne zamówienie: 1000-2000 PCS
Cena: Negotiated
Szczegóły pakowania: Boxed
Czas dostawy: 12 tygodni
Zasady płatności: L / CT / T Western Union
Możliwość Supply: 18 000 000 SZT / dziennie

Tranzystor polowy 60 V Mosch N Channel AlphaSGT HXY4264 Materiał silikonowy

Opis
Nazwa produktu: Tranzystor mocy Mosfet Temperatura złącza:: 150 ℃
materiał: Krzem Numer modelu: HXY4264
Walizka: Tape / Tray / Reel typu: tranzystor mosfet
High Light:

logic mosfet switch

,

mosfet driver using transistor

60 V N-kanałowy AlphaSGT HXY4264

Podsumowanie produktu

VDS 60 V.
ID (przy VGS = 10 V) 13,5 A.
RDS (ON) (przy VGS = 10 V) <9,8 mΩ
RDS (ON) (przy VGS = 4,5 V) <13,5 mΩ

Ogólny opis

Technologia Trench Power AlphaSGT TM

Low R DS (ON)

Niska opłata za bramę

Aplikacje

Zasilacz o wysokiej wydajności

Wtórny prostownik synchroniczny

Charakterystyka elektryczna (T = 25 ° C, o ile nie zaznaczono inaczej )

A. Wartość R θ JA jest mierzona za pomocą urządzenia zamontowanego na 1 w 2 płytce FR-4 z 2 uncjami. Miedź w środowisku z nieruchomym powietrzem o TA = 25 ° C. The

wartość w dowolnej aplikacji zależy od konkretnego projektu płytki użytkownika.

B. Rozproszenie mocy P D oparte jest na T J (MAKS.) = 150 ° C, przy zastosowaniu rezystancji termicznej złącza do otoczenia ≤ 10s.

C. Powtarzalność, szerokość impulsu ograniczona temperaturą złącza T J (MAKS.) = 150 ° C. Oceny są oparte na niskich częstotliwościach i cyklach pracy, które należy zachować

temperatura początkowa T = 25 ° C.

D. R θ JA jest sumą impedancji termicznej od połączenia do ołowiu R θ JL i ołowiu do otoczenia.

E. Charakterystykę statyczną na rysunkach 1–6 uzyskuje się przy użyciu impulsów <300 µs, cykl roboczy maks. 0,5%.

F. Krzywe te oparte są na impedancji termicznej połączenia z otoczeniem, mierzonej za pomocą urządzenia zamontowanego na płycie FR-4 1 w 2 z

2 uncje. Miedź, przyjmując maksymalną temperaturę złącza T J (MAX) = 150 ° C. Krzywa SOA zapewnia ocenę pojedynczego impulsu.

G. Cykl pracy szczytowej maks. 5%, ograniczony temperaturą złącza TJ (MAX) = 125 ° C.

TYPOWA CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA I TERMICZNA

Szczegóły kontaktu
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Osoba kontaktowa: David

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

Zostaw wiadomość

Oddzwonimy wkrótce!