|
Szczegóły Produktu:
|
| Nazwa produktu: | Tranzystor mocy Mosfet | VDS: | 20v |
|---|---|---|---|
| Numer modelu: | HXY9926A | Walizka: | Tape / Tray / Reel |
| VGS: | ± 1,2v | Ciągły prąd drenujący: | 6.5A |
| High Light: | tranzystor mosfet n kanałowy,przełącznik wysokiego napięcia mosfet |
||
HXY9926A 20 V podwójny M-kanałowy MOSFET
Ogólny opis
HXY9926A wykorzystuje zaawansowaną technologię wykopów do
zapewniają doskonałą RDS (ON), niski poziom naładowania bramki i działanie
z napięciami bramkowymi tak małymi jak 1,8 V przy zachowaniu 12 V.
Ocena VGS (MAX). To urządzenie nadaje się do użytku jako jednokierunkowe
lub dwukierunkowy przełącznik obciążenia.
Podsumowanie produktu
Absolutny Maksymalny Oceny T. = 25 ° C chyba że zaznaczono inaczej
Charakterystyka elektryczna (T = 25 ° C, o ile nie zaznaczono inaczej)
A. Wartość R θ JA jest mierzona za pomocą urządzenia zamontowanego na 1 w 2 płytce FR-4 z 2 uncjami. Miedź w środowisku z nieruchomym powietrzem o TA = 25 ° C. The
wartość w dowolnej aplikacji zależy od konkretnego projektu płytki użytkownika.
B. Rozproszenie mocy P D oparte jest na T J (MAKS.) = 150 ° C, przy zastosowaniu rezystancji termicznej złącza do otoczenia ≤ 10s.
C. Powtarzalność, szerokość impulsu ograniczona temperaturą złącza T J (MAKS.) = 150 ° C. Oceny są oparte na niskich częstotliwościach i cyklach pracy, które należy zachować
D. R θ JA jest sumą impedancji termicznej od połączenia do ołowiu R θ JL i ołowiu do otoczenia.
E. Charakterystykę statyczną na rysunkach 1–6 uzyskuje się przy użyciu impulsów <300 µs, cykl roboczy maks. 0,5%.
TYPOWA CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA I TERMICZNA
Osoba kontaktowa: David
