Dom ProduktyWskazówka Tranzystory mocy

3DD13001B Tranzystory mocy końcówki NPN TO-92 Plastikowe kapsuły VCEO 420V

Orzecznictwo
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Opinie klientów
Współpracujemy z Hua Xuan Yang głównie dzięki ich profesjonalizmowi, ich zdecydowanej reakcji na dostosowanie potrzebnych produktów, zaspokajaniu wszystkich naszych potrzeb, a przede wszystkim świadczeniu wysokiej jakości usług.

—— —— Jason z Kanady

Zgodnie z zaleceniem mojego przyjaciela wiemy o Hua Xuan Yang, starszym ekspercie w branży półprzewodników i podzespołów elektronicznych, co pozwoliło nam skrócić nasz cenny czas i nie ryzykować próbowania innych fabryk.

—— —— Виктор z Rosji

Im Online Czat teraz

3DD13001B Tranzystory mocy końcówki NPN TO-92 Plastikowe kapsuły VCEO 420V

3DD13001B Tranzystory mocy końcówki NPN TO-92 Plastikowe kapsuły VCEO 420V
3DD13001B Tranzystory mocy końcówki NPN TO-92 Plastikowe kapsuły VCEO 420V

Duży Obraz :  3DD13001B Tranzystory mocy końcówki NPN TO-92 Plastikowe kapsuły VCEO 420V

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: SHENZHEN, CHINY
Nazwa handlowa: Hua Xuan Yang
Orzecznictwo: RoHS、SGS
Numer modelu: 3DD13001B
Zapłata:
Minimalne zamówienie: 1000-2000 PCS
Cena: Negotiated
Szczegóły pakowania: Boxed
Czas dostawy: 12 tygodni
Zasady płatności: L / CT / T Western Union
Możliwość Supply: 18 000 000 SZT / dziennie

3DD13001B Tranzystory mocy końcówki NPN TO-92 Plastikowe kapsuły VCEO 420V

Opis
PC: 0,75 W. VCEO: 420 V.
VCBO: 600 V. Nazwa produktu: typ triody półprzewodnikowej
TJ: 150 ℃ typu: Tranzystor triodowy
High Light:

tranzystor tip pnp

,

tranzystory z końcówkami

Tranzystory enkapsulowane TO-92 3DD13001B TRANSISTOR (NPN)

CECHA

Ÿ aplikacje przełączania zasilania

CECHOWANIE

13001 = Kod urządzenia

S 6B = Kod

INFORMACJE O ZAMAWIANIU

Numer części Pakiet Metoda pakowania Ilość w opakowaniu
3DD13001B TO-92 Objętość 1000 sztuk / worek
3DD13001B-TA TO-92 Taśma 2000 sztuk / pudełko


MAKSYMALNE OCENY (T a = 25 Š, chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol Parametr Wartość Jednostka
V CBO Napięcie kolektora-podstawy 600 V.
V CEO Napięcie kolektor-emiter 420 V.
V EBO Napięcie na podstawie emitera 7 V.
I C. Prąd kolektora - ciągły 0.2 ZA
P C. Rozpraszanie mocy kolektora 0,75 W.
T J Temperatura złącza 150
T stg Temperatura przechowywania -55 ~ 150


PARAMETRY ELEKTRYCZNE

T a = 25 Š, chyba że określono inaczej


Parametr Symbol Test kondycji Min Typ Max Jednostka
Napięcie przebicia podstawy kolektora V (BR) CBO I C = 100μA, I E = 0 600 V.
Napięcie przebicia kolektor-emiter V (BR) CEO I C = 1mA, I B = 0 400 V.
Napięcie przebicia bazy emitera V (BR) EBO I E = 100μA, I C = 0 7 V.
Prąd odcięcia kolektora ICBO V CB = 600 V, I E = 0 100 μA
Prąd odcięcia kolektora ICEO V CE = 400 V, I B = 0 200 μA
Prąd odcięcia emitera IEBO V EB = 7 V, I C = 0 100 μA

Wzmocnienie prądu stałego

hFE (1) V CE = 20 V, I C = 20 mA 14 29
hFE (2) V CE = 10 V, I C = 0,25 mA 5
Napięcie nasycenia kolektor-emiter VCE (sat) I C = 50mA, I B = 10 mA 0,5 V.
Napięcie nasycenia bazy i emitera VBE (sat) I C = 50 mA, I B = 10 mA 1.2 V.
Częstotliwość przejścia f T.

V CE = 20 V, I C = 20 mA

f = 1 MHz

8 MHz
Czas upadku t f

I C = 50mA, I B1 = -I B2 = 5mA, V CC = 45 V.

0,3 μs
Czas przechowywania t S. 1.5 μs


KLASYFIKACJA h FE (2)

Zasięg 14-17 17–20 20–23 23–26 26–29

Wymiary konspektu TO-92

Symbol Wymiary w milimetrach Wymiary w calach
Min Max Min Max
ZA 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1.100 1.400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
do 0,360 0,510 0,014 0,020
re 4.300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430 0,135
mi 4.300 4,700 0,169 0,185
mi 1.270 TYP 0,050 TYP
e1 2.440 2,640 0,096 0,104
L. 14,100 14.500 0,555 0,571
Φ 1.600 0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015



Szczegóły kontaktu
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Osoba kontaktowa: David

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

Zostaw wiadomość

Oddzwonimy wkrótce!