Szczegóły Produktu:
|
VCBO: | -400 V. | VCEO: | -400 V. |
---|---|---|---|
VEBO: | -5 V. | Nazwa produktu: | krzemowa trioda półprzewodnikowa |
TJ: | 150Š | Tranzystor Power Mosfet: | TO-92 Plastic-Encapsulate |
High Light: | tranzystor tip pnp,tranzystory z końcówkami |
Tranzystory w obudowie z tworzywa sztucznego TO-92 A94 TRANSISTOR (PNP)
Wysokie napięcie przebicia
CECHOWANIE
A94 = Kod urządzenia
Stała kropka = urządzenie z zieloną masą formierską, jeśli nie ma, normalne urządzenie
Z = Ranga hFE
XXX = kod
INFORMACJE O ZAMAWIANIU
Numer części | Pakiet | Metoda pakowania | Ilość w opakowaniu |
A94 | TO-92 | Objętość | 1000 sztuk / worek |
A94-TA | TO-92 | Taśma | 2000 sztuk / pudełko |
MAKSYMALNE OCENY (T a = 25 Š, chyba że zaznaczono inaczej)
Symbol | Parametr | Wartość | Jednostka |
V CBO | Napięcie kolektora-podstawy | -400 | V. |
V CEO | Napięcie kolektor-emiter | -400 | V. |
V EBO | Napięcie na podstawie emitera | -5 | V. |
I C. | Kolektor Prąd - ciągły | -0,2 | ZA |
I CM | Kolektor Prąd - Impulsowy | -0,3 | ZA |
P C. | Rozpraszanie mocy przez kolektor | 625 | mW |
R θ JA | Odporność termiczna Od złącza do otoczenia | 200 | ℃ / W |
T J | Temperatura złącza | 150 | ℃ |
T stg | Temperatura przechowywania | -55 ~ + 150 | ℃ |
T a = 25 Š, chyba że określono inaczej
Parametr | Symbol | Warunki testowe | Min | Typ | Max | Jednostka |
Napięcie przebicia podstawy kolektora | V (BR) CBO | I C = -100µA, I E = 0 | -400 | V. | ||
Napięcie przebicia kolektor-emiter | V (BR) CEO | I C = -1mA, I B = 0 | -400 | V. | ||
Napięcie przebicia bazy emitera | V (BR) EBO | I E = -100µA, I C = 0 | -5 | V. | ||
Prąd odcięcia kolektora | ICBO | V CB = -400 V, I E = 0 | -0,1 | μA | ||
Prąd odcięcia kolektora | ICEO | V CE = -400 V, I B = 0 | -5 | μA | ||
Prąd odcięcia emitera | IEBO | V EB = -4 V, I C = 0 | -0,1 | μA | ||
Wzmocnienie prądu stałego | hFE (1) | V CE = -10 V, I C = -10 mA | 80 | 300 | ||
hFE (2) | V CE = -10 V, I C = -1 mA | 70 | ||||
hFE (3) | V CE = -10 V, I C = -100 mA | 60 | ||||
hFE (4) | V CE = -10 V, I C = -50 mA | 80 | ||||
Napięcie nasycenia kolektor-emiter | VCE (sat) (1) | I C = -10mA, I B = -1mA | -0,2 | V. | ||
VCE (sat) (2) | I C = -50mA, I B = -5mA | -0,3 | V. | |||
Napięcie nasycenia bazy i emitera | VBE (sat) | I C = -10mA, I B = -1mA | -0,75 | V. | ||
Częstotliwość przejścia | f T. | V CE = -20 V, I C = -10 mA, f = 30 MHz | 50 | MHz |
RANGA | ZA | b | do |
ZASIĘG | 80–100 | 100–200 | 200–300 |
Wymiary konturu opakowania
Symbol | Wymiary w milimetrach | Wymiary w calach | ||
Min | Max | Min | Max | |
ZA | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
A1 | 1.100 | 1.400 | 0,043 | 0,055 |
b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
do | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
re | 4.300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
D1 | 3,430 | 0,135 | ||
mi | 4.300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
mi | 1.270 TYP | 0,050 TYP | ||
e1 | 2.440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
L. | 14,100 | 14.500 | 0,555 | 0,571 |
0 | 1.600 | 0,063 | ||
h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Osoba kontaktowa: David