|
Szczegóły Produktu:
|
| Nazwa produktu: | typ triody półprzewodnikowej | aplikacji: | zasilanie mobilne / sterownik led / sterowanie silnikiem |
|---|---|---|---|
| materiał: | Krzem | Napięcie na podstawie emitera: | 6V |
| Walizka: | Tape / Tray / Reel | ||
| High Light: | tranzystor pnp tip,tranzystor pnp dużej mocy |
||
Tranzystory SOT-89-3L z obudową z tworzywa sztucznego 2N3904 TRANSISTOR (NPN).
Ÿ Krzemowy epitaksjalny płaski tranzystor NPN do przełączania i zastosowań wzmacniaczy
Ÿ Jako typ uzupełniający zalecany jest tranzystor PNP 2N3906
Ÿ Ten tranzystor jest również dostępny w obudowie SOT-23 o oznaczeniu typu MMBT3904
| Numer części | Pakiet | Metoda pakowania | Ilość w opakowaniu |
| 2N3904 | TO-92 | Objętość | 1000 sztuk / worek |
| 2N3904-TA | TO-92 | Taśma | 2000 sztuk / pudełko |
| Symbol | Parametr | Wartość | Jednostka |
| V CBO | Napięcie podstawowe kolektora | 60 | V. |
| V CEO | Napięcie kolektor-emiter | 40 | V. |
| V EBO | Napięcie na podstawie emitera | 6 | V. |
| I C. | Prąd kolektora - ciągły | 0.2 | ZA |
| P C. | Rozpraszanie mocy kolektora | 0,625 | W. |
| T J | Temperatura złącza | 150 | Š |
| T stg | Temperatura przechowywania | -55-150 | Š |
Ta = 25 Š, chyba że określono inaczej
| Parametr | Symbol | Warunki testowe | Min | Typ | Max | Jednostka |
| Napięcie przebicia podstawy kolektora | V (BR) CBO | I C = 10µA, I E = 0 | 60 | V. | ||
| Napięcie przebicia kolektor-emiter | V (BR) CEO | I C = 1mA, I B = 0 | 40 | V. | ||
| Napięcie przebicia bazy emitera | V (BR) EBO | I E = 10µA, I C = 0 | 6 | V. | ||
| Prąd odcięcia kolektora | ICBO | V CB = 60 V, I E = 0 | 0,1 | µA | ||
| Prąd odcięcia kolektora | ICEX | V CE = 30 V, V EB (wyłączony) = 3 V. | 0,05 | µA | ||
| Prąd odcięcia emitera | IEBO | V EB = 5 V, I C = 0 | 0,1 | µA | ||
Wzmocnienie prądu stałego | hFE1 | V CE = 1 V, I C = 10 mA | 100 | 400 | ||
| hFE2 | V CE = 1 V, I C = 50 mA | 60 | ||||
| hFE3 | V CE = 1 V, I C = 100 mA | 30 | ||||
| Napięcie nasycenia kolektor-emiter | VCE (sat) | I C = 50mA, I B = 5mA | 0,3 | V. | ||
| Napięcie nasycenia bazy i emitera | VBE (sat) | I C = 50mA, I B = 5mA | 0,95 | V. | ||
| Częstotliwość przejścia | f T. | V CE = 20 V, I C = 10 mA, f = 100 MHz | 300 | MH Z | ||
| Czas zwłoki | t d | V CC = 3 V, V BE = 0,5 V, I C = 10 mA, I B1 = 1 mA | 35 | ns | ||
| Czas wschodu | t r | 35 | ns | |||
| Czas przechowywania | t s | V CC = 3 V, I C = 10 mA I B1 = I B2 = 1mA | 200 | ns | ||
| Czas upadku | t f | 50 | ns |
| Ranga | O | Y | sol |
| Zasięg | 100–200 | 200–300 | 300–400 |
Typowe charakterystyki 
Wymiary konturu opakowania
| Symbol | Wymiary w milimetrach | Wymiary w calach | ||
| Min | Max | Min | Max | |
| ZA | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1.100 | 1.400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| do | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| re | 4.300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| mi | 4.300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| mi | 1.270 TYP | 0,050 TYP | ||
| e1 | 2.440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L. | 14,100 | 14.500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1.600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
SOT-89-3L Sugerowany układ padów 
Sugerowany układ padów TO-92 
Osoba kontaktowa: David
