Dom ProduktySilikonowy tranzystor mocy

SOT-89-3L A44 Silikonowy tranzystor mocy NPN Kolektorowe napięcie 400V

Orzecznictwo
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Opinie klientów
Współpracujemy z Hua Xuan Yang głównie dzięki ich profesjonalizmowi, ich zdecydowanej reakcji na dostosowanie potrzebnych produktów, zaspokajaniu wszystkich naszych potrzeb, a przede wszystkim świadczeniu wysokiej jakości usług.

—— —— Jason z Kanady

Zgodnie z zaleceniem mojego przyjaciela wiemy o Hua Xuan Yang, starszym ekspercie w branży półprzewodników i podzespołów elektronicznych, co pozwoliło nam skrócić nasz cenny czas i nie ryzykować próbowania innych fabryk.

—— —— Виктор z Rosji

Im Online Czat teraz

SOT-89-3L A44 Silikonowy tranzystor mocy NPN Kolektorowe napięcie 400V

SOT-89-3L A44 Silikonowy tranzystor mocy NPN Kolektorowe napięcie 400V
SOT-89-3L A44 Silikonowy tranzystor mocy NPN Kolektorowe napięcie 400V

Duży Obraz :  SOT-89-3L A44 Silikonowy tranzystor mocy NPN Kolektorowe napięcie 400V

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: SHENZHEN, CHINY
Nazwa handlowa: Hua Xuan Yang
Orzecznictwo: RoHS、SGS
Numer modelu: SOT-89-3L A44
Zapłata:
Minimalne zamówienie: 1000-2000 PCS
Cena: Negotiated
Szczegóły pakowania: Boxed
Czas dostawy: 12 tygodni
Zasady płatności: L / CT / T Western Union
Możliwość Supply: 18 000 000 SZT / dziennie

SOT-89-3L A44 Silikonowy tranzystor mocy NPN Kolektorowe napięcie 400V

Opis
Napięcie podstawowe kolektora: 400 V. Temperatura złącza: 150 ℃
Tstg: -55 ~ + 150 ℃ materiał: Krzem
Prąd kolektora: 600 mA Rozpraszanie mocy kolektora: 500mW
High Light:

power switch transistor

,

power mosfet transistors

Tranzystory w obudowie z tworzywa sztucznego SOT-89-3L A44 TRANSISTOR (NPN)

CECHA

Niskie napięcie nasycenia kolektor-emiter

Wysokie napięcie przebicia

Oznaczenie: A44

MAKSYMALNE OCENY (Ta = 25 ℃, chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol Parametr Wartość Jednostka
V CBO Napięcie podstawowe kolektora 400 V.
V CEO Napięcie kolektor-emiter 400 V.
V EBO Napięcie na podstawie emitera 6 V.
I C. Prąd kolektora - ciągły 200 mama
I CM Prąd kolektora - pulsowany 300 mama
P C. Rozpraszanie mocy kolektora 500 mW
R θ JA Odporność termiczna od połączenia do otoczenia 250 ℃ / W
T j Temperatura złącza 150
T stg Temperatura przechowywania -55 ~ + 150




CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA (Ta = 25 ℃, chyba że określono inaczej)

Parametr Symbol Test kondycji Min Typ Max Jednostka
Napięcie przebicia podstawy kolektora V (BR) CBO I C = 100µA, I E = 0 400 V.
Napięcie przebicia kolektor-emiter V (BR) CEO * I C = 1mA, I B = 0 400 V.
Napięcie przebicia bazy emitera V (BR) EBO I E = 10µA, I C = 0 6 V.
Prąd odcięcia kolektora ICBO V CB = 400 V, I E = 0 0,1 µA
Prąd odcięcia emitera IEBO V EB = 4 V, I C = 0 0,1 µA

Wzmocnienie prądu stałego

hFE (1) * V CE = 10 V, I C = 1 mA 40
hFE (2) * V CE = 10 V, I C = 10 mA 50 200
hFE (3) * V CE = 10 V, I C = 50 mA 45
hFE (4) * V CE = 10 V, I C = 100 mA 40

Napięcie nasycenia kolektor-emiter

VCE (sat) *

I C = 1 mA, I B = 0,1 mA 0,4 V.
I C = 10 mA, I B = 1 mA 0,5 V.
I C = 50mA, I B = 5mA 0,75 V.
Napięcie nasycenia bazy i emitera VBE (sat) * I C = 10 mA, I B = 1 mA 0,75 V.
Pojemność wyjściowa kolektora Kaczan V CB = 20 V, I E = 0, f = 1 MHz 7 pF
Pojemność wejściowa emitera Cib V BE = 0,5 V, I C = 0, f = 1 MHz 130 pF



Typowe charakterystyki



Wymiary konturu opakowania

Symbol Wymiary w milimetrach Wymiary w calach
Min Max Min Max
ZA 1.400 1.600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
do 0,350 0,440 0,014 0,017
re 4.400 4,600 0,173 0,181
D1 1.550 REF. 0,061 REF.
mi 2.300 2.600 0,091 0,102
E1 3,940 4.250 0,155 0,167
mi 1500 TYP. 0,060 TYP.
e1 3.000 TYP. 0,118 TYP.
L. 0,900 1.200 0,035 0,047



SOT-89-3L Sugerowany układ padów



Taśma i rolka SOT-89-3L





Szczegóły kontaktu
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Osoba kontaktowa: David

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

Zostaw wiadomość

Oddzwonimy wkrótce!