Dom ProduktySilikonowy tranzystor mocy

MMBTA56 NPN Darlington tranzystor mocy, szybkie przełączanie tranzystorowe NPN

Orzecznictwo
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Chiny Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certyfikaty
Opinie klientów
Współpracujemy z Hua Xuan Yang głównie dzięki ich profesjonalizmowi, ich zdecydowanej reakcji na dostosowanie potrzebnych produktów, zaspokajaniu wszystkich naszych potrzeb, a przede wszystkim świadczeniu wysokiej jakości usług.

—— —— Jason z Kanady

Zgodnie z zaleceniem mojego przyjaciela wiemy o Hua Xuan Yang, starszym ekspercie w branży półprzewodników i podzespołów elektronicznych, co pozwoliło nam skrócić nasz cenny czas i nie ryzykować próbowania innych fabryk.

—— —— Виктор z Rosji

Im Online Czat teraz

MMBTA56 NPN Darlington tranzystor mocy, szybkie przełączanie tranzystorowe NPN

MMBTA56 NPN Darlington tranzystor mocy, szybkie przełączanie tranzystorowe NPN
MMBTA56 NPN Darlington tranzystor mocy, szybkie przełączanie tranzystorowe NPN

Duży Obraz :  MMBTA56 NPN Darlington tranzystor mocy, szybkie przełączanie tranzystorowe NPN

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: SHENZHEN, CHINY
Nazwa handlowa: Hua Xuan Yang
Orzecznictwo: RoHS、SGS
Numer modelu: MMBTA56
Zapłata:
Minimalne zamówienie: 1000-2000 PCS
Cena: Negotiated
Szczegóły pakowania: Boxed
Czas dostawy: 12 tygodni
Zasady płatności: L / CT / T Western Union
Możliwość Supply: 18 000 000 SZT / dziennie

MMBTA56 NPN Darlington tranzystor mocy, szybkie przełączanie tranzystorowe NPN

Opis
Temperatura złącza: 150 ℃ Rozpraszanie mocy kolektora: 225mW
Funkcja: Wzmacniacze ogólnego zastosowania materiał: Krzem
Prąd kolektora: 600 mA Temperatura przechowywania: -55 ~ + 150 ℃
High Light:

power switch transistor

,

power mosfet transistors

Tranzystory w obudowie z tworzywa sztucznego SOT-23 MMBTA56 TRANSISTOR (NPN)

CECHA

l Zastosowania wzmacniacza ogólnego zastosowania

Znakowanie: 2GM

MAKSYMALNE OCENY (Ta = 25 ℃, chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol Parametr Wartość Jednostka
V CBO Napięcie podstawowe kolektora -80 V.
V CEO Napięcie kolektor-emiter -80 V.
V EBO Napięcie na podstawie emitera -4 V.
I C. Prąd kolektora -500 mama
P C. Rozpraszanie mocy kolektora 225 mW
R ΘJA Odporność termiczna od połączenia do otoczenia 555 ℃ / W
T j Temperatura złącza 150
T stg Temperatura przechowywania -55 ~ + 150




CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA (Ta = 25 ℃, chyba że określono inaczej)

Parametr Symbol Test kondycji Min Typ Max Jednostka
Napięcie przebicia podstawy kolektora V (BR) CBO IC = -100µA, IE = 0 -80 V.
Napięcie przebicia kolektor-emiter V (BR) CEO IC = -1mA, IB = 0 -80 V.
Napięcie przebicia bazy emitera V (BR) EBO IE = -100µA, IC = 0 -4 V.
Prąd odcięcia kolektora ICBO VCB = -80 V, IE = 0 -0,1 µA
Prąd odcięcia kolektora ICEO VCE = -60 V, IB = 0 -1 µA
Napięcie przebicia bazy emitera IEBO VEB = -4 V, IC = 0 -0,1 µA
Wzmocnienie prądu stałego hFE (1) VCE = -1 V, IC = -10 mA 100 400
hFE (2) VCE = -1 V, IC = -100mA 100
Napięcie nasycenia kolektor-emiter VCE (sat) IC = -100mA, IB = -10mA -0,25 V.
Napięcie emitera bazy VBE VCE = -1 V, IC = -100mA -1,2 V.
Częstotliwość przejścia fT VCE = -1 V, IC = -100mA, f = 100 MHz 50 MHz



Wymiary konturu opakowania

Symbol Wymiary w milimetrach Wymiary w calach
Min Max Min Max
ZA 0,900 1.150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1.050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
do 0,080 0,150 0,003 0,006
re 2.800 3.000 0,110 0,118
mi 1.200 1.400 0,047 0,055
E1 2.250 2,550 0,089 0,100
mi 0,950 TYP 0,037 TYP
e1 1.800 2.000 0,071 0,079
L. 0,550 REF 0,022 REF
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ 0 ° 8 ° 0 ° 8 °

Typowe charakterystyki









Szczegóły kontaktu
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Osoba kontaktowa: David

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

Zostaw wiadomość

Oddzwonimy wkrótce!